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100GHz급 실리콘 소자 기술 개발에 관한 연구 (최종)
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Participants
Published
199812
Type
Final Report
Keyword
SiGe HBT 공정, 비 자기 정력 SiGe HBT 제작, 수동 소자
Funding Org.
정보통신부
Research Org.
한국전자통신연구원
Project Code
98MM2400, BASYS DataMig, Kim Dae Yong
Abstract
가. 주요 연구 결과물 1) 0.2㎛ 두께에서 30-40Ω/sq.의 면 저항을 갖는 in-situ B 또는 P doping poly 에미터 및 베이스 전극 형성. 2) Nodule이 없는 Si 컬렉터 SEG 공정. 3) 매몰 컬렉터 autodoping을 최소화 한 컬렉터 에피 성장. 4) 비 자기 정렬 SiGe HBT 제작($f_{T}/f_{max}$ = 77/52 GHz, $BV_CEO$ = 2.5V) 5) On-chip inductor 제작 (Q = 4-5, 회전수가 1∼7로 변할 때 0.4∼25nH) 6) On-chip coplanar TXL($S_21$ < 0.4-0.7dB, $S_22$ < -12dB) 나. 발표논문 "Low power consumption and low phase noise 2.4GHz VCO using SiGe HBT for WLL applications"외 7편 다. 특허출원 국제특허 "산소주입과 선택적 결정성장법을 이용한 쌍극자트랜지스터 제조방 법" 외 31건