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Type Funding Org. Research Org.
Year ~ Keyword

Detail

자외선 감지 센서 개발 기술 지원
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Participants
박미란
Published
200309
Type
Final Report
Keyword
GaN/AlGaN 에피, UV Detector 소자, UV 투과막
Funding Org.
산업통상자원부
Research Org.
한국전자통신연구원
Project Code
02NB1100, 자외선 감지센서개발 기술지원, Miran Park
Abstract
일반적으로 태양광은 빛의 파장에 따라 크게 가시광선과 적외선 그리고 자외선 등 3가지 종류의 빛으로 나누어 진다. 본 과제에서 다루는 것은 자외선 감지 센서로서 여기서 자외선이라 함은 빛의 파장이 200nm ~ 400nm까지의 빛을 일컫는다. 또한 자외선의 경우도 크게 UV-A/B/C등으로 나뉘어지는데 여기서 UV-A는 파장이 320nm ~ 400nm, UV-B는 280nm ~ 320nm 그리고 UV-C는 200nm ~ 320nm사이의 빛을 말한다. 일반적으로 빛의 에너지는 파장이 짧아질수록 그 강도가 커진다는 사실이 알려지고 있다.
자외선의 경우는 가시광선에 비해서 광 에너지가 크기 때문에 사용하기에 따라 정기능과 역기능을 동시에 가지고 있다 할수 있다. 정기능의 경우 산업적으로 사용되고 있는 기능으로 살균과 위조 지폐 감지와 잉크 경화등 여러 분야에 사용되고 있으며 역기능의 경우는 인체의 흥반 작용 및 피부암등 인체 작용이 많은 영향을 미치고 있다. 특히 인체에 대한 자외선의 역기능은 자외선을 파장에 따른 함수로 환산하여 자외선 지수라는 개념을 도입하여 사용하고 있다. 또한 살균 작용의 경우 250~260nm에서 최대한 효과를 발휘 하며 위조 지폐 감지의 경우는 파장이 약365nm의 영역에서 사용되어 지고 있다.