본 기술은 저온공정 기반 고전도성 전자파 차폐 인쇄 소재 및 공정 기술로 기존 소재 기술 대비하여 공정 온도를 낮추면서도 높은 전도성을 확보할 수 있고 저가로 제조가 가능한 전자파 차폐 페이스트 소재 및 공정 원천 기술임.
o 반도체 첨단 패키징 및 RF 모듈의 패키지등에서 고집적화, 고주파화가 가속됨에 따라 패키지 내부 칩간 EMI (전자파 간섭)이 제품 성능 및 신뢰성에 영향이 점점 커지고 있어 저온공정이 가능한 저비용 고전도성 EMI 차폐 페이스트에 대한 수요가 높아지고 있음. 반도체 첨단 패키징 및 RF 모듈의 패키지등에서 소자 손상을 방지하기 위해 공정 온도가 180도 이하로 제한되고 동시에 짧은 소결 시간이 요구되고 있음. RF 모듈의 패키지등에서 저온경화형 실버 페이스트를 차폐 소재로 사용하고 있으나 전도성이 낮아 충분한 차폐 성능을 확보하는데 한계가 있고, 고주파로 갈수록 박막형 차폐 패키지의 필요성이 증가함에 따라 저온공정에서 전도성이 크게 향상될 필요가 있음.
o 반도체 패키징등에서는 낮은 융점의 나노입자를 포함한 저온 공정용 고전도성 페이스트를 차폐 소재로 일부 사용하고 있으나, 이러한 낮은 융점의 나노소재는 대부분 수입에 의존하고 있으며 가격이 매우 높고 안정성이 낮아 산업화에 어려움이 있음.
o 본 이전 기술인 저온공정 기반 고전도성 전자파 차폐 인쇄 소재 및 공정 기술은 고가의 나노소재를 최소화하면서도 저온 공정에서 높은 전기전도성을 구현할 수 있어 기존 기술의 한계를 극복하고 우수한 가격 경쟁력을 확보할 수 있음. 또한 이를 통해 수입 소재의 국산화가 가능하며 반도체 첨단 패키징 및 RF 모듈의 패키지등 다양한 분야에 활용할 수 있음.
본 이전 기술인 저온공정 기반 고전도성 전자파 차폐 인쇄 소재 및 공정 기술의 특장점으로 공정온도 저감, 공정 시간 단축, 공정 단가 절감등이 있음. 소재 표면처리 공정등을 통하여 표면에 나노구조를 형성하여 고가의 나노입자가 없이도 저온에서 소결이 가능함. 이를 통하여 150도 이하의 낮은 공정 온도에서도 높은 전도성 및 차폐 성능을 구현할 수 있음. 또한, 화학적 표면처리 공정을 통하여 기존 수십분 이상의 공정 시간을 수분 이내로 단축시킬 수 있으며 대량 생산이 용이하다는 장점이 있음. 또한, 고가의 나노소재를 사용하지 않고, 저비용 은구리 소재에도 적용이 가능하여 공정 단가 저감이 가능하여 높은 가격 경쟁력을 확보할 수 있음.
저온공정 기반 고전도성 전자파 차폐 인쇄 소재 및 공정 기술
- 150도 이하의 저온공정에서 고전도성을 가질 수 있는 저비용 전자파 차폐 인쇄 소재 및 공정 기술
저온공정 기반 고전도성 전자파 차폐 인쇄 소재 및 공정 기술
- 저온공정 고전도성 전자파 차폐 인쇄 소재 제조 및 평가 기술
- 저온공정 고전도성 저비용 페이스트 소재 표면처리 공정 기술
- 저온공정 고속소결 페이스트 소재 및 공정 기술
o 적용분야: EMI 차폐 페이스트, 반도체 첨단 패키징, RF 모듈 패키지, 5G/6G 통신 부품 및 모듈, 고주파 고속 신호용 전자부품, 전장 전자 시스템, AI 반도체 및 고집적 시스템등
o 기대효과: 기존 고가의 저온용 고전도성 페이스트 시장을 대체할 수 있으며, 이를 통해 관련 소재의 국산화가 가능함. 또한, 본 기술을 기반으로 반도체 첨단 패키징, RF 모듈 패키징등에서 시장 점유 확대 가능함.