에지종단 향상기술을 적용한 650V/20A급 SiC 다이오드 기술로서 650V/20A급 SiC 다이오드 설계도, 6인치 650V/20A급 SiC 다이오드 공정 기술, 기술문서 및 지적재산권 등을 포함
○ SiC는 실리콘보다 넓은 에너지 밴드폭(×3), 높은 절연파괴전계(×10), 빠른 포화전자속도(×2) 및 우수한 열전도도(×3) 등 전력반도체소자로서의 우수한 재료특성을 가지고 있음
○ SiC 전력소자는 스위칭 및 온-저항 손실이 적어 전력변환시스템 효율이 높고 시스템의 수동소자 부품과 냉각시스템을 줄일 수 있어 소형·경량화가 가능하여 시스템의 가격을 낮추고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 핵심부품으로 전력레벨에 따라 IT & 가전, 자동차, 공장등 광범위한 분야에 활용되고 있음
○ 전세계 전력반도체 시장은 2013년 150억 달러에서 연평균 10% 성장하여 2020년에는 290억 달러에 이를 것으로 전망되지만(야노경제연구소), 이에 대한 국산화는 10% 미만이며 기술수준 또한 선진국의 50%에 불과할 정도로 취약함
○ 본 기술이전을 통하여 국내 최초로 6인치 SiC 웨이퍼를 사용하여 650V/20A급 SiC 다이오드를 제작하는 기술을 국내업체에 기술이전함으로써, 6인치 SiC 웨이퍼를 적용한 650V/20A급 SiC 다이오드를 국내업체가 양산할 수 있게 되면 650V SiC 다이오드 소자에 대한 시장경쟁력을 확보할 수 있게 됨
- 국내 최초 6인치 SiC 기판을 이용한 650V/20A급 SiC 다이오드 제작 기술
- Si 다이오드에 비하여 개발한 SiC 다이오드의 고온 특성이 탁월함
에지종단 향상기술을 적용한 650V/20A급 SiC 다이오드 기술
에지종단 향상기술을 적용한 650V/20A급 SiC 다이오드 설계 및 제작 기술
- 650V/20A급 SiC 다이오드 설계 데이터
- 6인치 SiC 기판을 이용한 650V/20A급 SiC 다이오드 제작 기술
- 에지종단 IPR
○ SiC 다이오드의 에지종단 설계기술을 활용한 고전압 소자 개발
○ 6인치 650V급 SiC 다이오드 전력 반도체 시장 선점을 통한 신시장 창출
○ 650V급 다양한 전류를 가지는 다이오드 개발 및 양산 가능(10A, 20A, 30A 50A 등)
○ SiC 전력모듈 업체의 전력반도체를 이용한 시제품 Demo Test
○ 개발된 고전압/대전류 용 패키지 기술을 실리콘 고전압 소자에 활용
○ 전기자동차 및 태양광/풍력 발전시스템의 인버터 모듈에 활용
○ 본 기술이전을 통한 650V급 SiC 다이오드 기술이 개발되면 국내 전력반도체 제조업체에서도 고부가가치의 전력반도체 소자 제품 개발 등 기술 확대 및 응용 가능성이 커져 경제적?산업적 효과가 있을 것으로 기대됨