신뢰성이 향상된 고출력 Green LED 에피성장기술
? 고출력 Green LED는 GaN계 물질을 이용한 파장대역 525nm 근처에서 발광하는 광원으로써 풀칼라 디스플레이, BLU, 휴대형 빔프로젝터 및 감성조명 등 다양한 용도로 발전되고 있음.
? 청색과 적색 LED 광원은 효율 및 휘도 향상 등 많은 기술 발전을 이루었으나, 525 nm의 녹색 광원은 III-V계와 질화물계에서도 접근하기 어려운 Green Gap이 존재하여 고출력의 녹색 LED 구현이 어려운 실정임.
? 525nm 대역 파장을 가지는 녹색 LED를 개발하기 위해서는 고인듐의 InGaN 층을 성장하여야 하나, 저온성장에 따른 에피 박막의 질적 저하 및 인듐 뭉침현상 등으로 인하여 녹색 LED는 매우 낮은 효율을 보이고 있음.
? RGB 광원의 내부 양자 효율은 Red 80%, Blue 60%, Green 20% 정도이고, 대면적 Green LED의 외부 양자 효율은 10% 이하의 낮은 수준임.
? 이러한 현재의 기술적 장벽을 극복하고 고출력 Green LED 개발을 위해서는 독자적인 고품위 에피성장기술 등에서 핵심 원천기술의 확보가 필수적임.
? 본 과제에서 개발하고자 하는 LED 기술은 525nm 녹색 파장대역에서 220mW급의 광출력을 가지는 고출력 LED를 구현하는 기술로, PSS GaN Recovery Layer 에피성장기술, Strain Relaxation Layer 구조 에피성장기술, Graded MQB 구조 및 Trapezoidal MQW 구조 에피성장기술, P-AlGaN EBL 및 p-GaN Layer 에피성장기술 등 에피성장기술의 최적화 및 확보가 핵심이며, 이러한 기술개발을 통해 신뢰성이 향상된 고출력 Green LED를 국산화하고 상용화를 통하여 제품개발 및 시장선점의 기회를 확보하고자 함.
MOCVD를 이용한 220mW급 신뢰성이 향상된 고출력 Green LED 에피성장기술
기술명 : 신뢰성이 향상된 고출력 Green LED 에피성장 기술
- PSS GaN Recovery Layer 에피성장기술
- Strain Relaxation Layer 구조 에피성장기술
- Graded MQB 구조 및 Trapezoidal MQW 구조 에피성장기술
- P-AlGaN EBL 및 p-GaN Layer 에피성장기술
기술명 : 신뢰성이 향상된 고출력 Green LED 에피성장 기술 및 관련 기술문서
- 에피 설계 및 성장 기술: 에피구조설계서 및 기술문서
- Green LED 관련 기술문서
- 제작된 녹색 LED 소자의 발광파장, 구동전압, 광출력 특성에 관한 공인인증기관 인증서 사본
? 고출력 녹색 LED의 개발은 빛의 삼원색인 RGB 광원의 완성으로 완벽한 색표현을 할 수 있어, 감성/경관 조명, 풀칼라 디스플레이, 고급형 RGB LED BLU 등 다양한 신산업이 기반기술로 자리매김할 것으로 전망됨.