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Detail

Technology transfer for multi-channel DBR-TLD chip implementation technology for PAM-4

Manager
Kwon Oh Kee
Participants
Kwon Oh Kee, Kisoo Kim, Chul-Wook Lee
Transaction Count
1
Year
2023
Project Code
23HH5900, Development of 5G mobile fronthaul transport technology, Sun Hyok Chang
22HH7800, Development of 5G mobile fronthaul transport technology, Sun Hyok Chang
21HH6600, Development of 5G mobile fronthaul transport technology, Sun Hyok Chang
20HH8100, Development of 5G mobile fronthaul transport technology, Sun Hyok Chang
23HB3500, Development of 400Gbps coherent optical transceiver , Kwon Oh Kee
22HB3500, Development of 400Gbps coherent optical transceiver , Kwon Oh Kee
본 기술은 "5G 기지국 프론트홀 기술개발” (2020-0-00847)내 “O-band 파장가변 LD칩 기술개발” 과제와 “400G 코히어런트 광트랜시버 기술개발” (2022-0-00584) 에서 개발되었으며, 과제 결과물 중 하나인 “다채널 PAM4용 DBR-EAM칩 구현 기술“ 이전을 통해 파장가변 광원칩의 핵심기술을 이전하고자 함.
- 기술이전 내용은 업체 요구사항을 만족하는 소자에 대한 구현기술들을 포함한다.
? 광트랜시버 제작시 원재료 비용은 광원칩 (39.5%), IC (12.4%), isolator (10.4%), PD (10.2%) 순이며, 광원칩은 단가면에서도 여타 부품에 비해 매우 높은 가격이며, 현재 ~25Gbps NRZ(non-return-to-zero)의 동작속도에서 제한적 파장가변 광원 (파장가변 범위~ 3.2nm)의 DFB(distributed feedback)-LD가 적용되고 있음.
? 본격적인 5G의 본격적인 적용과 함께 인벤토리 코스트 저감을 위해서는 25Gbps NRZ 이상 혹은 50G PAM4(pulse amplitude modulation level 4)의 고속 변조와 8채널 이상(6nm 이상)의 파장가변이 가능한 반도체 칩 기술이 필요하며, 현재 논의되는 Smart MSA와 향후 적용되는 범위를 감안하면, 칩 수준에서는 100G PAM4 동작이 가능한 동작의 기술개발이 조속히 요구되며, 향후 튜너블 광원칩을 기반으로 한 관련 응용 네트웍은 향후 SDN(software defined network)에 효과적으로 적용될 것으로 판단됨.
본 기술은 WDM 시스템내 다채널 동작을 지원하고, 각 채널별로 100Gbps PAM4 신호를 제공할 수 있는 DBR-EAM 형 파장가변 변조광원으로서, 종래의 SG-DBR 구성에 비해 소자구성이 간단하고, 파장가변 동작이 쉬워서 저가격 제공이 가능하고, 종래의 DFB-TEC 구성에 비해서는 고속동작과 광대역 파장가변이 가능한 장점이 있음.
A. 기술명 : 다채널 PAM4용 DBR-EAM 칩 제작기술 (세부기술 1)
1) 요구사항
- 8/16채널 동작 TLD(tunable laser diode) 칩
- 50/100Gbps PAM4 동작 (채널당)
- IT 버전 동작조건 (55도)
2) 세부기술: DBR-EAM 제작칩 및 관련기술
- ETRI 제작 DBR-EAM 반도체 칩 제공
- 요구사항을 반영한 칩 제작기술 제공

B. 기술명 : O-band DBR-EAM 칩 설계기술 (세부기술 2)
1) 요구사항
- O-band 동작 DBR-EAM (에피/도파로) 구조
- DBR-EAM 단일집적 구성
- IT 조건에서 성능평가 및 개선 검토
2) 세부기술: DBR-EAM 구조설계 및 관련기술
- 업체제작 DBR-EAM 구성
- 요구사항을 반영한 구조 설계기술 제공
A. 기술명 : 다채널 PAM4용 DBR-EAM 칩 제작기술 (세부기술 1)
1) ETRI 파장가변 광원 칩 제공
- 파장가변 반도체 광원 제작칩 (성능 요구사항 반영)
- 칩 개수: 조정가능 (1회, xx개 이내)
- 적용칩에 대해 업체 사용 허가
2) 기술이전 일정 계획
- 기간: 2023. 8. 1 ~ 2023. 10. 31

B. 기술명 : O-band DBR-EAM 칩 설계기술 (세부기술 2)
1) 업체 파장가변 광원 구조 제공
- 파장가변 반도체 광원 구조 (업체 공정 및 기술상황 반영)
- 설계 횟수: 조정가능 (1~2회)
- 설계구성의 제작 칩에 대해 특성 평가 및 개선 검토 (x 회 이내)
2) 기술이전 일정 계획
- 기간: 2024. 3. 1. ~2024. 5. 31
? 지난 몇 년간 CWDM 망 기반 3G-PP LTE 및 LTE-A의 국내 무선 이동통신 상용 서비스의 시행으로 인해 파장고정 Gb/s급 광원의 수요가 폭발적으로 증가하였으며, 이후 5G 수용을 위한 파장가변 시스템으로의 변화에 맞춰 국내의 광통신 모듈회사가 이를 수용하여 신규로 형성되는 시장에 진입 가능성이 높음.
? 세계적으로 수직계열 인수합병을 통해 칩 수급이 어려워지고 있는 상황에서 상용화 경험을 보유한 업체에서 이를 수행해서 시장요구에 대응하는 제품개발시 국내시장 활성화 뿐 아니라, 세계시장 진입도 가능할 것으로 판단됨.
? 국내업체의 칩 제작 및 모듈 기술에 대해 ETRI의 개발 기술을 결합하여 요구조건에 만족하는 국내솔루션 개발의 성공 가능성 높음.