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Year ~ Transaction Count Keyword

Detail

Chip Design of Photodiode and Fabrication Technology of Microlens

Manager
Jae-Sik Sim
Participants
Kwon Yong-Hwan, Kisoo Kim, Kim Dong Sun, Kim Sungil, Jae-Sik Sim
Transaction Count
1
Year
2025
Project Code
16MB2300, Development of key technologies for advanced QKD and reliability qualification through QKD network construction, Kisoo Kim
17HB4100, Development of key technologies for advanced QKD and reliability qualification through QKD network construction, Kisoo Kim
18HB3100, Development of key technologies for advanced QKD and reliability qualification through QKD network construction, Kisoo Kim
16DB1600, 선형모드 InGaAs/InP APD 2차원 배열을 이용한 능동형 3차원 광검출기 및 신호처리 기술, Kwon Yong-Hwan
본 기술은 "양자암호통신망 구축을 위한 신뢰성 검증기술 및 QKD 고도화를 위한 핵심 요소기술 개발(협약과제번호: 18HB3100)"와 "선형모드 InGaAs/InP APD 2차원 배열을 이용한 능동형 3차원 광검출기 및 신호처리 기술 개발(협약과제번호: 16DB1600)" 과제에서 개발되었으며, 과제들의 결과물인 "광검출기의 칩 설계"와 "마이크로렌즈 제작 기술" 이전을 통해 양자암호통신과 초고속 통신을 위한 핵심인 APD chip 구현과 관련된 기술을 포함함.
○ 아발란치 광검출기 개발 동향 및 개발 필요성
- IoT, 스마트폰 등 인터넷 연결 디바이스의 수량 증가뿐만 아니라 대용량 멀티미디어 서비스로 데이터 수요량이 폭발적으로 증가하고 있으며, 증가하는 데이터 수요량을 맞추기 위해 모바일 프론트홀 인터페이스 규격인 CPRI CPRI(Common Republic Radio Interface) : 기지국이 Digital Unit(DU)와 안테나의 Radio Unit(RU) 사이의 전송 규격으로 2003년 Ericsson, NSN, ALU, NEC, Huawei 주도로 제정되었음.
에서 Option 10을 추가하면서 24.33Gbps으로 전송용량을 규격화하였음.
- 국내 5G 회의체인 5G Forum에서 댁내 가입자당 1Gbps 데이터를 받을 수 있는 표준안을 제정하였고, 차세대 EPON 관련하여 테스크포스팀(802.3ca)이 구성되어 25G, 50G, 100g EPON에 대한 표준화가 진행되고 있음.
- 시장변화 및 표준화 일정에 부합하는 광전송 시스템을 구축하기 위해서 25Gbps의 고감도 수광소자의 개발이 절실한 상황임.
- 향후 50Gbps 전송속도의 수광소자 개발을 위해서 마이크로렌즈 적용 칩 개발 필요
○ 초고속 광검출기(APD) 개발 기술적 이슈
- 초고속 광검출기 제작을 위한 에피 구조 설계 및 전산모사
· Hole에 의한 증폭은 그 한계치가 10Gbps에 머무를 것으로 예상하며, electron에 의한 증폭은 그 이상의 변조속도를 가짐.
· InAlAs를 증폭층으로 이용하며, electron에 의한 아발란치 증폭이 발생함
· InAlAs 증폭층은 shot noise 특성이 InP에 비해 좋으며, background doping 이 낮을수록 두께가 정확하게 제어되어야 우수한 동작 특성을 확보할 수 있음
- InP 기판의 식각을 통한 마이크로렌즈 설계 및 제작 기술
· 후면 집광의 최대화를 위한 마이크로렌즈를 굴절률의 차이가 없는 InP 기판에 직접 제작하기 위한 설계 및 제작
초고속 아발란치 광검출기의 칩(에피) 설계 기술과 마이크로렌즈 설계 및 제작 기술의 기술이전을 통해 100G, 200G 광트랜시버 모듈의 핵심소자인 25Gbps, 50Gbps APD의 성능 향상에 큰 역할을 할 것으로 예상됨.
-기술명: 광검출기의 칩 설계 및 마이크로렌즈 제작 기술
-세부기술: 광검출기의 에피 설계 및 마이크로렌즈 제작 기술
1) Mesa-type APD의 에피 설계 방법 제공
2) 요구사항을 반영한 기판에 직접 제작하는 마이크로렌즈 제작 방법 제공
1) Mesa-type APD의 에피 설계 방법 제공
-Mesa-type APD의 에피 설계시 여러 번수를 입력하여 설계 가능한 엑셀프로그램 제공
-적용 구조에 대해 업체 사용 허가 및 인증
2) 기판에 직접 제작하는 마이크로렌즈 제작 방법 제공
-APD의 후면 기판에 마이크로렌즈 제작을 위한 Photoresist 형성 조건 제공
-건식식각을 하여 마이크로렌즈를 형성하는 조건 및 방법 제공
(1) 기술적 측면
- Mesa-type 아발란치 광검출기의 에피 및 칩 설계 기술 보유
- 마이크로렌즈 설계 및 제작 기술 보유
- 25Gbps 이상의 변조속도를 가지는 아발란치 광검출기 제작 기술 보유

(2) 경제적, 산업적 측면
- 장거리 광통신, 모바일 프론트홀, PON 시스템 등 차세대 광통신에 필수 부품으로서 역할을 가지며, 광통신 기반의 사물인터넷(IoT) 및 자율주행자동차 산업, 가상/증강현실의 소프트웨어 산업의 기반 기술 확보
- 아발란치 광검출기의 성능 향상에 따른 해외 수입 의존 탈피
- 향후 당사의 주 매출 수입원 확보

(3) 사회적 측면
- 수년 안에 사물인터넷과 가상/증강현실(VR/AR)을 경험하고 스마트폰으로 클라우드와 연결하여 교육, 문화, 의료, 보안, 자율주행 등 다양한 서비스를 제공받는데 있어 25/50Gbps 아발란치 광검출기가 기초적인 부품 역할 기대