고출력, 고효율 광원구현을 위한 반도체 레이저 설계 기술
? 반도체 레이저 다이오는 동작파장별로 다양한 응용분야에 걸쳐 적용되고 있으며, 최근 830~850nm 대에서 동작인식용 센서에 100mW 이상의 고출력 광원이 활용되고 있고, 최근 출력 향상 및 고온 동작의 필요로 인해 고출력에서 고효율 특성을 가지는 레이저 다이오드 설계기술이 시급히 필요함.
? 향후 시장이 본격화 될 경우 대량 생산에 적합한 단일모드 레이저 다이오드 생산기술이 필요하며, QSI는 edge emitting laser diode의 대량생산시설을 갖추고 있기 때문에 (QSI는 한달에 천만개의 패키징 모듈생산 능력 보유), 조기에 개발하여 시장진입을 위한 준비가 필요함.
공정수행 결과를 감안한 설계기술
업체수행 결과 분석/실험치 비교
기술명: 고출력, 고효율 광원구현을 위한 광반도체 설계기술
(1) 밴드갭 엔지니어링 (에피설계)
(2) 광도파로 설계
(3) 레이저 구조 설계 (최적화)
기술명: 고출력, 고효율 광원구현을 위한 광반도체 설계기술
(1) 밴드갭 엔지니어링 (에피설계) 기술
- 고온특성 향상 (고효율)을 위한 전도대 전자 가둠 에피구조
- 고이득 구현을 위한 양자우물 구조
(2) 도파로 설계 기술
- 2차원 도파로 구조 설계 및 분석
- 단면 광자밀도 저감을 위한 구조
(3) 레이저 다이오드 구조설계 (특성 최적화) 기술
- 고출력시 발생하는 COD (catastrophic optical damage) 및 ESD (electro-static damage) 발생인자 도출
- 관련 문제점 검토 및 개선을 위한 구조제시
? 동작인식 및 스마트 보드용 시장에 본격적 적용
? 관련 고출력 반도체 레이저 다이오드 응용 및 관련분야에 적용
? 다양한 파장분야에 적용시켜 상대적으로 부가가치가 높은 시장에 적용