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신뢰성이 향상된 고출력 레이저 다이오드 칩 구현 기술

전수책임자
오수환
참여자
권오기, 오수환, 이철욱, 임영안
기술이전수
1
이전연도
2015
협약과제
■ 양산화 가능한 830nm, 200mW급 고출력 레이저 다이오드 제작
- 위치 인식 및 동작인식용 센서에 활용되는 반도체 광원은 사람의 시신경에 자극이 비교적 적은 830 nm 파장영역 대에서 동작하며, 수 m 이내의 근거리에서 반사광의 출력을 원활하게 감지하기 위해서는 200 mW 이상의 광출력을 필요로 한다.
- IR sensor용 laser 광원은 신규로 형성되고 있는 시장인 동시에 최대로 성장이 기대되는 시장으로 이의 산업적 응용 분야는 로봇청소기, smart TV, 게임기, 컴퓨터의 마우스 대체 등의 가정생활과, 사람의 위험 동작을 감지를 통한 설비 정지를 통한 재해 방지 등 다양한 응용 분야에 활용이 가능하다.
- ㈜ 큐에스아이는 국내외 주요 업체인 국내의 삼성전자, LG 전자와는 동작인식용 sensor로 광원 평가가 진행 중에 있으며, 국외의 프라임센서, 세라핌과 함께 제품 개발을 위한 협의를 진행하고 있다. 제품 개발이 완료되면 상기 고객사를 통하여 평가를 진행할 수 있으며, 제품의 기술이전 완료시 즉시 양산적용이 가능한 생산 system을 구축하고 있다.
- 향후 보안 및 군용에 관련된 사업이 크게 성장될 것으로 전망되기 때문에 기술이전 기술을 상용화 한다면 사업을 선점할 가능성이 큰 것으로 기대된다.
○ 신뢰성이 향상된 고출력 레이저 다이오드 제작 기술 확보
■ 에피 및 RWG 구조 최적화 제작기술 확보
■ Al2O3 박막 코팅기술을 도입하여 Dark spot(DS) 및 dark line defect(DLD) 저감 구조 도출
■ Zn diffusion을 이용한 MQW intermixing 기술로 출사면 광자밀도 저감 구조 구현
양산화가 가능한 830nm 200mW 고출력 레이저 다이오드 개발
1) 파장 : 830nm ± 20nm 2) Optical power : 200mW
3) kink-free : 250mw 4) COD level : 370mW
5) FFV : 16 ± 2 도 6) dark spot : 1% 이하

신뢰성이 향상된 고출력 레이저 칩 제작
- 에피 및 RWG 구조 최적화 제작기술 확보
- Al2O3 박막 코팅기술을 도입하여 Dark spot(DS) 및 dark line defect(DLD) 저감 구조 도출
- Zn diffusion을 이용한 MQW intermixing 기술로 출사면 광자밀도 저감 구조 구현
동작인식, 위치 인식용 센서의 광원
- 생활용품 :로봇청소기, 스마트 TV, 게임기, 마우스 대체품
- 재해방지 :사람의 위험동작 감지로 인한 위험설비의 자동정지
- 보안 및 군용 : 동작 인식 : 향후 관련사업이 크게 성장할 것으로 예상됨