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KSP 제안 키워드: Power Amplifiers(PAs) Microwave Integrated Circuit Microwave Monolithic Integrated Circuits(MMIC) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor(pHEMT) T-Gate High Power Amplifier(HPA) Mmic Power Amplifier Recessed Gate Algaas/Ingaas/Gaas Phemts Gaas Mmic Low Temperature Cofired Ceramic(LTCC) Cut-Off Frequency Comparative Study Power Amplifier Mmic Parasitic Capacitance Microwave Characteristics Components Technology Solid State Power Amplifier High Performance Gate Shape K-Band Plasma-Induced Damage Passivation Layer Ceramic Technology Microstrip Coupled Line Pre-Passivation Gan Hemt Technology Ku-Band Algan/Gan Hemts Device Characteristics Device Performance Frequency Range Low Noise Amplifier(LNA) Power Device Rf Performance Compound Semiconductor Maximum Oscillation Frequency Wireless Personal Area Network(WPAN) Silicon Nitride 5 Ghz Gan Hpa Coupled Microstrip Line Etching Method Three-Stage Amplifier Ka Band Satellite Millimeter Wave(mmWave) On-Chip Power Added Efficiency(PAE) Resistance Measurement Rf Isolation Surface Layer Satellite Payload Third-Order Intercept Point Techno-Economic Analysis Unconditional Stability High Rate Branch-Line Coupler Bias Circuit Directional Coupler(DC) Two-Step Next-Generation Output Impedance Rf Characteristics Stage Structure Small Signal Gain X-Ray Photoelectron Spectroscopy Wilkinson Power Divider 6 Ghz Applied Physics Buffer Amplifier Cross-Sectional Area(CSA) Drain Current Network Applications Open Stub Plasma Ashing T-Shaped Gate And Gate Auger Electron Spectroscopy Biasing Circuit Fabrication Technology Gan Power Amplifier Gaas Process Input And Output Stable Structure Side Wall Wet And Dry Etching Head Size Design And Implementation Cascode Mixer E-Beam Lithography Operation Condition Reference Surface Sin X Scattering Parameters(S-parameters) Wet Etching 5.8 Ghz Yield Enhancement Adaptive Biasing High Linearity Back-Off Conversion Gain Down-Conversion Gate Length Microwave Frequencies Output Power Control Passive Components Process Technology Rf Choke Wideband Operation Sheet Resistance Wlan Applications 5g Base Station Rf Detector High Efficiency Power Amplifier High Isolation C-Band Communication System Experimental Study Gate Recess Gan Hmet Maximum Frequency Nitride Layer On-Wafer Reactive Ion Etching(RIE) Single Supply Saturated Output Power 60ghz Communication Anisotropic Etching Drain Voltage Enhancement-Mode Frequency Band Lithography Process Metal-Insulator-Metal (Mim) Capacitor Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (Pecvd) Stability Improvement Stability Parameter Surface Treatments 2.4 Ghz 28 Ghz

논문 (53)
특허 (24)
기술이전 (10)
연구보고서 (4)
국제표준 (0)
단행본/발표자료 (0)

논문 검색결과
구분	연도	논문	피인용
학술대회	2022	0.15μm 소자를 이용한 Ka 대역 전력증폭기 집적회로 정준형 한국전자파학회 학술대회 (추계) 2022, pp.99-99
학술대회	2022	Ka대역 전력증폭기 MMIC 지홍구 한국전자파학회 학술대회 (추계) 2022, pp.101-101
학술대회	2021	Design of A Ka-Band High Efficiency Power Amplifier MMIC Based on GaN HEMT Technology for 5G Base Station 안현배 한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2021, pp.634-635
학술대회	2021	28 GHz 대역 5G 기지국용 GaN 저잡음 증폭기 MMIC 설계 안현배 대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.2557-2560
학술지	2021	5G 이동통신을 위한 GaN RF 전자소자 및 집적회로 기술 동향 이종민 전자통신동향분석, v.36 no.3, pp.53-64
학술대회	2019	Ka-band GaN MMIC Power Amplifier for SG Communication Sysems 강동민 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2019, pp.627-627
학술대회	2018	A 20~32 GHz GaN Power Amplifier MMIC Using Lange Couplers for Wideband Operation 장우진 대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.119-122
학술대회	2018	28GHz MMIC Power Amplifier based on 0.15um GaN HEMT Technology 강동민 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술대회	2018	GaN MMIC를 위한 후면 비어의 RF 모델링 이상흥 한국통신학회 종합 학술 발표회 (동계) 2018, pp.715-716
학술대회	2017	차세대 고출력 레이더용 GaN 전력 소자 및 증폭기 기술 문재경 함정기술.무기체계 세미나 2017, pp.1-1
학술대회	2016	Surface Treatment for Recessed Gate and its Effects on the Performance of Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs 도재원 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회	2016	GaN HPA MMIC를 이용한 Ka 대역 위성 통신용 25 W급 SSPA 지홍구 통신 정보 합동 학술 대회 (JCCI) 2016, pp.1-2
학술지	2015	GaN HPA MMIC 기반 Ka 대역 25 W SSPA 설계 및 제작 지홍구 한국전자파학회논문지, v.26 no.12, pp.1083-1090
학술지	2015	Ka 대역 위성 통신 하향 링크를 위한 GaN 전력 증폭기 집적 회로 지홍구 한국산학기술학회논문지, v.16 no.12, pp.8643-8648
학술대회	2015	고효율 광대역 Ku-Band GaAs MMIC 고출력 증폭기 주인권 한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.1-1
학술대회	2015	GaN MMIC 기반 Ka 대역 SSPA 지홍구 한국군사과학기술학회 종합 학술 대회 2015, pp.1172-1173
학술대회	2015	Ku-Band GaAs MMIC High Power Amplifier with High Efficiency and Broadband 주인권 Conference on Microwave Techniques (COMITE) 2015, pp.1-4	3
학술대회	2013	The Maintenance of HPA MMIC’s Efficiency for K-Band 지홍구 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2013, pp.751-753	0
학술대회	2013	Study on Flexible Output Power Control for Ka Band Satellite Payload 엄만석 Joint Conference on Satellite Communications (JC-SAT) 2013, pp.1-6
학술대회	2013	Ku-대역 4 Watt MMIC 고출력 증폭기 설계 주인권 한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2013, pp.1-1
학술대회	2013	차세대 Ka 대역 방송 위성 탑재 기술 엄만석 통신 정보 합동 학술 대회 (JCCI) 2013, pp.1-2
학술대회	2012	X-대역 저잡음 증폭기 MMIC 지홍구 한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2012, pp.1102-1103
학술대회	2012	능동 위상 배열 안테나를 위한 디지털 위상 변위기 MMIC 주인권 한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2012, pp.353-354
학술지	2011	GaN, GaAs MMIC 개발 및 전망 지홍구 전자통신동향분석, v.26 no.4, pp.105-114
학술지	2010	밀리피터파 대역 하향 변환 혼합기 지홍구 한국전자파학회논문지, v.21 no.11, pp.1318-1323
학술지	2010	밀리미터파 대역 단일 집적 증폭기 지홍구 한국산학기술학회논문지, v.11 no.10, pp.3917-3922
학술대회	2010	S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성 장우진 대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2010, pp.1984-1987
학술지	2010	Characteristics of a 60 GHz MMIC Mixer with an Open Stub Microstrip Line 이상흥 Microwave and Optical Technology Letters, v.52 no.6, pp.1341-1345	1
학술지	2009	Stability Improvement of 60 GHz Narrowband Amplifier Using Microstrip Coupled Lines 장우진 ETRI Journal, v.31 no.6, pp.741-748	9
학술대회	2009	60 GHz Amplifier Module Using Low Temperature Co-fired Ceramic Technology 장우진 International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2009, pp.1-3
학술대회	2007	Influence of Gate Head Dimensions on the Device Performance of 0.12um PHEMT 안호균 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2007, pp.1-4	0
학술대회	2007	Highly Miniaturized Passive Components Employing Novel π-type Multiple Coupled Microstrip lines 윤영 European Microwave Conference (EuMC) 2007, pp.454-457	0
학술지	2007	Experimental Study on Isolation Characteristics Between Adjacent Microstrip Lines Employing Periodically Perforated Ground Metal for Application to Highly Integrated GaAs MMICs 윤영 IEEE Microwave and Wireless Components Letters, v.17 no.10, pp.703-705	11
학술지	2006	Fabrication and Characteristics of 0.12 μm Single and Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a SiNx Pre-Passivation Layer 임종원 Journal of the Korean Physical Society, v.49 no.3, pp.S774-S779
학술대회	2006	High Performance Low Temperature Co-fired Ceramic Modules for 60 GHz WPAN Systems 문재경 MRS Meeting 2006 (Fall), pp.1-2
학술대회	2006	Fabrication of SiN-Assisted 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT and 60GHz-bands MMICs for 60GHz WPAN System 안호균 MRS Meeting 2006 (Fall), pp.1-1
학술대회	2006	Broadband 60 GHz Power Amplifier MMIC with Excellent Gain-Flatness 장우진 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.614-615
학술대회	2006	Comparative Study of DC and Microwave Characteristics of 0.12 μm T-Shaped Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a Hybrid and Conventional E-beam Lithography Process 임종원 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.956-957
학술대회	2006	Influence of T-Gate Shape on the Device Characteristics in SiN-Assisted 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT 안호균 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.1-2
학술대회	2006	Low Noise and Power Amplifier Modules for 60 GHz Wireless Personal Area Network Applications 문재경 한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2006, pp.861-863
학술대회	2006	광대역의 우수한 이득 평탄도를 갖는 V-밴드 전력 증폭기 MMIC 장우진 대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2006, pp.593-594
학술대회	2006	IEEE802.15.3c WPAN 시스템을 위한 60 GHz 저잡음 증폭기 MMIC 장우진 대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2006, pp.501-502
학술지	2006	Comparative Study of DC and Microwave Characteristics of 0.12 μm Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs Pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistors Using Dielectric-Assisted Process 임종원 Japanese Journal of Applied Physics, v.45 no.4B, pp.3358-3363	0
학술대회	2006	Low Noise Amplifier Module for 60 GHz Wireless Personal Area Network (WPAN) utilizing Multilayer Low Temperature Co-fired Ceramic Technology 문재경 ESA Workshop on Millimetre Wave Technology and Applications 2006, pp.1-4
학술대회	2006	Design and Implementation of 60 GHz Amplifier MMICs and Module for WPAN System 장우진 한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술대회	2006	Fabrication and Characteristics of 0.12 μm Single and Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a SiNx Pre-Passivation Layer 임종원 한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술대회	2006	Influence of T-gate shape on the device characteristics in 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT 안호균 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술대회	2006	60 GHz Amplifier MMICs and Module for 60 GHz WPAN System 장우진 Topical Symposium on Millimeter Waves (TSMMW) 2006, pp.159-164
학술지	2005	SPDT 단일 고주파 집적 회로 스위치용 pHEMT 채널 구조 설계 문재경 한국진공학회지, v.14 no.4, pp.207-214
학술지	2005	A Comparative Study of a Dielectric-Defined Process on AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs 임종원 ETRI Journal, v.27 no.3, pp.304-311	8
학술대회	2003	Single Supply, High Linearity, High Efficient PHEMT Power Devices and Amplifier for 2 GHz & 5 GHz WLAN Applications 박민 European Microwave Conference (EuMC) 2003, pp.371-374	9
학술대회	2003	A 2-stage 5GHz-band MMIC Power Amplifier for WLAN using a 0.5um PHEMT Process 강동민 International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2003, pp.693-695
학술대회	2002	The Effects of Plasma Induced Damage on The Channel Layers of Ion Implanted GaAs MESFETs during Reactive Ion Etching(RIE) and Plasma Ashing Processes 안호균 Materials Research Society (MRS) Meeting 2002 (Spring), v.720, pp.67-72	1

특허 검색결과
구분	출원	특허	출원국
등록	2020	반도체 집적 및 그 제조방법	미국
등록	2018	질화물계 수직형 트랜지스터 구조 및 제조방법	미국
등록	2018	반도체 집적 및 그 제조방법	미국
등록	2018	반도체 소자 및 그의 제조 방법	대한민국
등록	2018	반도체 장치 및 이의 제조 방법	대한민국
등록	2018	이중 편파 안테나	대한민국
등록	2017	고주파 소자 및 이의 제조 방법	대한민국
등록	2017	레벨 쉬프터를 포함하는 캐스코드 스위치 회로	대한민국
등록	2017	상이한 전기적 길이를 갖는 복수의 임피던스 변환 회로를 이용한 전력 증폭기의 정합 방법	대한민국
등록	2011	내장형 캐패시터를 갖는 고전력 고주파 제어회로용 스위치 소자의 구조 및 제조방 법	미국
등록	2010	D-mode HEMT 소자의 단일 DC 바이어스 공급회로	미국
등록	2009	고속 광배선 소자	미국
등록	2009	고전력 고주파 제어회로용 화합물 반도체 소자의 구조 및 제조방법	미국
등록	2008	미세 티형 또는 감마형 게이트 전극을 가지는 전계효과 트랜지스터의 제조방법	미국
등록	2007	티형 게이트 전극을 구비한 반도체 소자 및 그의 제조 방법	대한민국
등록	2006	미세 티형 또는 감마형 게이트 전극을 가지는 전계효과 트랜지스터의 제조방법	미국
등록	2006	실리콘질화막을 이용한 이중 리세스 구조를 갖는 부정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 제조방법	미국
등록	2006	전기도금법에 의한 골드 범프 및 그 제조방법	대한민국
등록	2005	전계효과 트랜지스터의 제조방법	일본
등록	2005	전계효과 트랜지스터의 제조방법	미국
등록	2005	반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법	미국
등록	2004	전계효과 트랜지스터의 제조방법	대한민국
등록	2004	반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법	대한민국
등록	2004	화합물 반도체 고주파 스위치 소자	미국

기술이전 검색결과
연도	이전기술	이전수	책임자
2022	X-band GaN HEMT 기술	1	강동민
2022	28GHz GaN MMIC 증폭기 설계 기술	1	강동민
2021	0.5um GaN HEMT 기술	1	강동민
2021	W-대역 MMIC 저잡음증폭기 기술	1	강동민
2020	28GHz GaN HEMT 기반 MMIC 전력증폭기 설계 기술	1	강동민
2020	차세대 레이더용 X-대역 50W GaN IMFET 기술	1	강동민
2016	Ka 대역 GaN MMIC 기반 SSPA	3	노윤섭
2016	X-대역 20W GaN 전력소자 공정 기술	1	임종원
2015	빔형성회로 설계 기술	1	정진철
2014	다중 입출력 증폭기 및 효율 유지 증폭기 설계 기술	2	신동환

연구보고서 검색결과
구분	연도	보고서	책임자
중간(연차)	2019	ICT R&D 경쟁력 제고를 위한 기술 경제 및 표준화 연구 (2차년도)	이지형
최종	2017	수요자 중심 화합물 반도체 부품 산업 기반 강화 (최종)	강동민
최종	2016	ESSOP CUBE 기술 기반 차세대 레이더 3D 모듈 개발 (최종)	이진호
중간(연차)	2016	수요자 중심 화합물 반도체 부품 산업 기반 강화 (9차년도)	강동민

표준안 검색결과
연도	표준화기구	국제표준	원문링크
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단행본 검색결과
구분	연도	보고서	원문
검색결과가 없습니다.

발표자료 검색결과
발표일	제목	발표처	원문
검색결과가 없습니다.

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