?볾 leadless surface mount package was developed to enhance the switching and heat-dissipation properties of a power semiconductor. The package was implemented through a low-temperature co-fired ceramic (LTCC)-based multilayer circuit substrate that could form embedded cavities. A silicon carbide (SiC) Schottky barrier diode (SBD) bare die was attached to the cavity in the LTCC substrate. Chip interconnection was realized using a wide and thick copper (Cu) clip with a low parasitic inductance and electrical resistance compared to those of a conventional wire. Silver-filled multiple vias and wide metal planes were used to reduce the electrical parasitic effects and enhance the heat-dissipation of the package. The DC and dynamic characteristics of the 600 V/10 A-class SiC SBD package involving the proposed technologies were evaluated. The dynamic test results indicated that the reverse recovery charge (Qrr) was 18.7% lower than that of a traditional TO-220 packaged product with the same bare die. Furthermore, two leadless commercial products and the proposed package prototype were applied to a power factor correction (PFC) converter, and the power loss and heat-dissipation performances were compared. The proposed package exhibited a lower loss and higher heat dissipation than those of the commercial products.
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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