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Journal Article
Insulated Metal Substrate를 사용한 고출력 전력 반도체 방열설계
- Issue Date
- 2023-03
- Citation
- 마이크로전자 및 패키징학회지, v.30, no.1, pp.63-70
- ISSN
- 1226-9360
- Publisher
- 한국마이크로전자및패키징학회
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- 오늘날 심각한 환경 오염과 에너지의 중요성으로 전력 반도체의 중요도가 지속적으로 높아지고 있다. 특히wide band gap(WBG)소자 중 하나인 SiC-MOSFET은 우수한 고전압 특성을 가지고 있어 그 중요도가 매우 높다. 하지만 SiC-MOSFET의 전기적 특성이 열에 민감하기 때문에 패키지를 통한 열 관리가 필요하다. 본 논문에서는 기존 전력반도체에서 사용하는 direct bonded copper(DBC) 기판 방식이 아닌 insulated metal substrate(IMS) 방식을 제안한다. IMS 는 DBC에 비해 공정이 쉬우며 coefficient of thermal expansion (CTE)가 높아서 비용과 신뢰성 측면에서 우수하다. IMS 의 절연층인 dielectric film의 열전도도가 낮은 문제가 있지만 매우 얇은 두께로 공정이 가능하기 때문에 낮은 열 전도도를 충분히 극복할 수 있다. 이를 확인하기 위해서 이번 연구에서는 electric-thermal co-simulation을 수행하였으며 검증을위해 DBC 기판과 IMS를 제작하여 실험하였다.
- KSP Keywords
- Band gap, Coefficient of thermal expansion, Direct bonded copper(DBC), Electric-Thermal, Insulated metal substrate
This work is distributed under the term of Creative Commons License (CCL)
(CC BY NC)
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