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학술지 Optimized recess etching criteria for T-gate fabrication achieving ft = 290 GHz at Lg = 124 nm in metamorphic high electron mobility transistor with In0.7Ga0.3As channel
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저자
박종율, 민병규, 이종민, 장우진, 강동민, 장이산, 김준형, 김정길
발행일
202307
출처
Electronics Letters, v.59 no.14, pp.1-3
ISSN
0013-5194
출판사
John Wiley & Sons Ltd.
DOI
https://dx.doi.org/10.1049/ell2.12886
KSP 제안 키워드
Gate fabrication, High electron mobility transistor(HEMT), T-Gate, metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT)
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