상세정보
학술지
Optimized recess etching criteria for T-gate fabrication achieving ft = 290 GHz at Lg = 124 nm in metamorphic high electron mobility transistor with In0.7Ga0.3As channel
- 발행일
- 202307
- 출처
- Electronics Letters, v.59 no.14, pp.1-3
- ISSN
- 0013-5194
- 출판사
- John Wiley & Sons Ltd.
- KSP 제안 키워드
- Gate fabrication, High electron mobility transistor(HEMT), T-Gate, metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT)
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