주제어 : Gate fabrication
구분 | 연도 | 논문 | 피인용 | 원문 |
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학술지 | 2023 | Optimized recess etching criteria for T-gate fabrication achieving ft = 290 GHz at Lg = 124 nm in metamorphic high electron mobility transistor with In0.7Ga0.3As channel 박종율 Electronics Letters, v.59 no.14, pp.1-3 | 0 | 원문 |
학술지 | 2015 | Al2O3 Surface Passivation and MOS-Gate Fabrication on AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors without Al2O3 Etching Process 김정진 Japanese Journal of Applied Physics, v.54 no.3, pp.1-3 | 1 | 원문 |
구분 | 출원 | 특허 | 출원국 | 패밀리 | KIPRIS |
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구분 | 연도 | 보고서 | 책임자 | 원문 |
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