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Detail
Registered 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법
- Inventors
- Mun Jae Kyoung, Hae Cheon Kim, Woojin Chang, Hokyun Ahn, Ji Hong Gu, Jong-Won Lim
- Application No.
- 10-2004-0093330 (2004.11.16) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2006-0054686 (2006.05.23)
- Registration No.
- 10-0592735-0000 (2006.06.16)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 04MB1200, SoP(System on Package) for 60 GHz Pico cell Communication, Cho Kyoung Ik
- Abstract
- 본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반절연 기판 상에 완충층, 제1 실리콘 도핑층, 제1 전도층, 상기 제1 실리콘 도핑층과 다른 도핑 농도를 가지는 제2 실리콘 도핑층 및 제2 전도층이 순차적으로 적층된 에피 기판과, 상기 제1 실리콘 도핑층의 소정 깊이까지 침투되도록 상기 제2 전도층의 양측 상에 형성되어 오믹 접촉을 형성하는 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 제2 전도층 상에 형성되어 상기 제2 전도층과 콘택을 형성하는 게이트 전극을 포함함으로써, 격리도의 증가와 스위칭 속도를 증가시킬 수 있으며, 게이트 턴-온 전압의 증가, 항복전압의 증가 및 수평전도성분의 감소로 인하여 스위치 소자에 인가되는 최대 전압 한계값을 증가시켜 스위치 장치의 전력수송능력의 개선에 따른 고전력 저왜곡 특성 및 격리도의 증가를 기대할 수 있는 효과가 있다.
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | The Structure and its Fabrication Methods of Compound Semiconductor Device for Hi gh Power Radio Frequency Control Circuits | UNITED STATES | |
| Registered | TRANSISTOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME | UNITED STATES |