본 발명은 플라스틱기판에 유기반도체를 이용하여 인버터 회로를 제작할 때 문턱 전압을 위치 별로 제어 하기 위한 신규 인버터 구조와 제조 방법에 대한 것이다. 일반적으로 유기반도체는 P-타입 물질이 안정적인데 P-타입 만으로 인버터를 제작할 경우 공핍 형 (Depletion) 부하와 인핸스먼트 형(Enhancement) 드라이버로 구성된 인버터(D-인버터)가 이득이 크고, 스윙 폭이 크며, 소비전력이 작으므로 인핸스먼트 부하와 인핸스먼트 드라이버로 구성된 인버터(E-인버터)에 비해 더욱 바람직하다. 그러나, 공핍 타입의 트랜지스터와 인핸스먼트 타입의 트랜지스터를 동일 기판에서 위치 별로 제어하여 제작하기는 불가능하다.이와 같은 어려움을 해결하기 위해 본 발명에서는 일반적으로 인핸스먼트 타입 특성을 보이는 버텀 게이트 유기반도체 트랜지스터를 드라이버 트랜지스터에 사용하고 공핍 타입 특성을 보이는 탑 게이트 유기반도체 트랜지스터를 부하 트랜지스터에 사용하는 구조 및 제조 방법을 제안한다. 특히 이 구조를 이용하면 유기반도체 상부에 올라가는 제 2 절연막과 제 2 게이트 전극 물질에 의해 유기반도체의 패시베이션(passivation) 효과도 부가적으로 얻을 수 있고, 집적도도 높일 수 있는 장점이 있다.
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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