상세정보
등록 애벌런치 광다이오드 및 그 형성 방법
- 출원번호
- 13191758 (2011.07.27)
- 공개번호
- 20120104531 (2012.05.03)
- 등록번호
- 8710546 (2014.04.29)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 09MB2500, FTTH 고도화 광부품 기술개발, 오대곤
- 초록
- Provided are an avalanche photodiode and a method of fabricating the same. The method of fabricating the avalanche photodiode includes sequentially forming a compound semiconductor absorption layer, a compound semiconductor grading layer, a charge sheet layer, a compound semiconductor amplification layer, a selective wet etch layer, and a p-type conductive layer on an n-type substrate through a metal organic chemical vapor deposition process.
- KSP 제안 키워드
- Absorption layer, Avalanche photo diode(APD), Chemical Vapor Deposition, Chemical vapor deposition process, Conductive layer, Metal-Organic, Metalorganic chemical vapor deposition, N-type, Organic chemical, chemical vapor, compound semiconductor, deposition process, n-type substrate, p-Type, vapor deposition, wet etch
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 애벌런치 광다이오드 및 그 형성방법 | 대한민국 | KIPRIS |
| 등록 | 애벌런치 포토다이오드 및 제조 방법 | 미국 |