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Registered Verticle capacitor and method of forming the same
- Inventors
- Kim Seong-Il, Jong-Won Lim, Hyung Sup Yoon, Jongmin Lee, Mun Jae Kyoung, Lee Sang-Heung, Eun Soo Nam, Min Byoung-Gue
- Application No.
- 10-2011-0125763 (2011.11.29) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2013-0059673 (2013.06.07)
- Registration No.
- 10-1846388-0000 (2018.04.02)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 11ZB1100, Development support for customer-based convergence components, Eun Soo Nam
- Abstract
- 본 발명은 수직구조 캐패시터 및 수직구조 캐패시터의 형성 방법에 관한 것이다. 수직구조 캐패시터는 반도체 기판의 상부면에 입력 전극과 출력 전극을 형성하고 반도체 기판의 하부면을 식각하여 비아전극들을 형성한 후 상기 비아전극들 사이에 유전체막을 형성하여 수직구조 캐패시터가 기판내에 형성된다. 본 발명에 의하면 수직 구조 캐패시터는 적은 면적에 큰 용량의 캐패시턴스를 갖는 캐패시터를 제작할 수 있다.
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | VERTICAL CAPACITORS AND METHODS OF FORMING THE SAME | UNITED STATES |