상세정보
등록 박막 트랜지스터
- 출원번호
- 10-2012-0027365 (2012.03.16) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2013-0105165 (2013.09.25)
- 등록번호
- 10-1978835-0000 (2019.05.09)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 10MB6800, 디스플레이용 산화물 반도체 조성 및 고밀도 산화물 반도체 타켓 개발, 정우석
- 초록
- 산화물 채널층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 전극에 인접하여 배치된 금속-보론(Boron) 산화물을 포함하는 채널층, 게이트 전극과 채널층 사이의 게이트 절연막, 및 채널층과 결합하는 소스/드레인(source/drain) 영역들을 포함한다.