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Registered 반도체 장치 및 그 제조방법
- Application No.
- 10-2013-0029769 (2013.03.20) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2014-0048026 (2014.04.23)
- Registration No.
- 10-2064880-0000 (2020.01.06)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 12VB1500, Energy Efficient Power Semiconductor Technology for Next Generation Data Center, Eun Soo Nam
- Abstract
- 본 발명의 개념에 따른 반도체 장치는 하부 비아홀을 가지는 기판; 상기 기판의 상면을 노출시키는 개구부를 가지는 에피층; 상기 기판의 상면 상에 제공되고, 제1 전극, 제2 전극, 및 제3 전극을 포함하는 반도체 칩; 상기 제1 전극과 연결된 상부 금속막; 상기 상부 금속막 상에 배치되고, 상부 비아홀을 가지는 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되어, 상기 상부 비아홀 내로 연장된 상부 패드; 상기 개구부 내에 배치되어, 제2 전극과 연결된 하부패드; 및 상기 기판의 하면을 덮으며, 상기 하부 비아홀을 통해 상기 하부 패드와 연결된 하부 금속막을 포함할 수 있다.
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME | UNITED STATES | |
| Registered | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME | UNITED STATES |