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Registered schottky diode and manufacturing method of the same

쇼트키 다이오드 및 그의 제조방법
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Inventors
Suh Dongwoo, 루웨이, 전린, Kim Young Jun
Application No.
10-2013-0149225 (2013.12.03) KIPRIS
Publication No.
10-2015-0064780 (2015.06.12)
Registration No.
10-1940234-0000 (2019.01.14)
Country
KOREA
Project Code
13ME1200, A new technology for silicon MIR photodetector, Suh Dongwoo
Abstract
본 발명은 쇼트키 다이오드 및 그의 제조방법을 개시한다. 쇼트키 다이오드는, 기판과, 상기 기판 상의 코어와, 상기 코어 상의 금속 층과, 상기 금속 층 및 상기 기판 사이의 상기 코어를 둘러싸고, 상기 코어와 상기 금속 층 사이에 쇼트키 접합을 형성토록 상기 코어의 페르미 에너지 준위를 조절하는 쉘을 포함한다.
KSP Keywords
Manufacturing method, schottky diode
Family
 
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Status Patent Country KIPRIS
Registered SCHOTTKY DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME UNITED STATES