상세정보
등록 쇼트키 다이오드 및 그의 제조방법
- 출원번호
- 14339915 (2014.07.24)
- 공개번호
- 20150155395 (2015.06.04)
- 등록번호
- 9508873 (2016.11.29)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 13ME1200, 실리콘 MIR 광 검출기 신기술, 서동우
- 초록
- Provided is a Schottky diode. The Schottky diode includes: a substrate; a core on the substrate; a metallic layer on the core; and a shell surrounding the core between the metallic layer and the substrate and adjusting a Fermi energy level of the core to form a Schottky junction between the core and the metallic layer.
- KSP 제안 키워드
- Fermi energy, Fermi energy level, Metallic layer, energy levels, schottky diode, schottky junction
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 쇼트키 다이오드 및 그의 제조방법 | 대한민국 | KIPRIS |