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Registered 고전압 구동용 전계효과 트랜지스터 및 제조 방법
- Application No.
- 10-2014-0002967 (2014.01.09) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2015-0083483 (2015.07.20)
- Registration No.
- 10-2154336-0000 (2020.09.03)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 12DB1200, GaN 트랜지스터 기반의 Ku-Band 고출력 증폭기 개발, Jong-Won Lim
- Abstract
- 본 발명은 고전압 구동용 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고전압 구동이 가능하도록 게이트 머리 영역 밑에 내재된 전계 전극에 의해 드레인 방향으로 확장된 게이트 머리가 지지되는 게이트 전극 구조를 포함한다. 이에 따라 드레인 방향으로 확장된 게이트 머리를 절연막을 이용하여 전기적으로 이격시킨 전계 전극으로 지지함으로써 게이트 머리가 확장되어 있는 게이트 전극을 안정적으로 제작할 수 있고, 드레인 방향으로 확장된 게이트 머리에 의해 게이트 저항이 감소하고, 드레인 방향으로 확장된 게이트 머리를 가지는 게이트 전극 및 게이트에 근접된 전계 전극에 의해 게이트와 드레인 사이의 전계 피크치가 감소하여, 소자의 파괴전압이 높아지는 효과를 얻을 수 있다.
- KSP Keywords
- Field-effect transistors(FETs), High Voltage, High voltage operation, Manufacturing method, field effect