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Registered SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

반도체 소자 및 그 제작 방법
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Inventors
Hokyun Ahn, Hae Cheon Kim, Jong-Won Lim, Min Byoung-Gue, Hyung Sup Yoon, Kwon Yong-Hwan, Lee Kyung Ho, Kyu Jun Cho, Kim Zin-Sig, Kim Seong-Il, Eun Soo Nam, Dong Min Kang, Jongmin Lee
Application No.
10-2014-0078693 (2014.06.26) KIPRIS
Publication No.
10-2016-0001744 (2016.01.07)
Registration No.
10-2135163-0000 (2020.07.13)
Country
KOREA
Project Code
13DR1400, Ka대역 GaN MMIC 기반 SSPA 개발, Youn Sub Noh
Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는, 기판, 상기 기판 위에 형성되는 활성층, 상기 활성층 위에 형성되며 제1 개구부를 갖는 보호층, 상기 보호층 위에 형성되는 소스 전극, 구동 게이트 전극 및 드레인 전극 및 상기 제1 개구부 위에 형성되는 제1 추가 게이트 전극을 포함하며, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 구동 게이트 전극에 각각 인가되는 전압으로 인해 상기 활성층, 상기 보호층 및 상기 구동 게이트 전극에 전기장이 인가되며, 상기 제1 추가 게이트 전극은 상기 활성층, 상기 보호층 및 상기 구동 게이트 전극 중 적어도 일부에 인가되는 전기장의 크기를 감쇄시킨다.
KSP Keywords
Fabrication method, semiconductor device
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Status Patent Country KIPRIS
Registered SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF UNITED STATES