상세정보
등록 반도체 소자 및 그 제작 방법
- 출원번호
- 10-2014-0078693 (2014.06.26) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2016-0001744 (2016.01.07)
- 등록번호
- 10-2135163-0000 (2020.07.13)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 13DR1400, Ka대역 GaN MMIC 기반 SSPA 개발 , 노윤섭
- 초록
- 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는, 기판, 상기 기판 위에 형성되는 활성층, 상기 활성층 위에 형성되며 제1 개구부를 갖는 보호층, 상기 보호층 위에 형성되는 소스 전극, 구동 게이트 전극 및 드레인 전극 및 상기 제1 개구부 위에 형성되는 제1 추가 게이트 전극을 포함하며, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 구동 게이트 전극에 각각 인가되는 전압으로 인해 상기 활성층, 상기 보호층 및 상기 구동 게이트 전극에 전기장이 인가되며, 상기 제1 추가 게이트 전극은 상기 활성층, 상기 보호층 및 상기 구동 게이트 전극 중 적어도 일부에 인가되는 전기장의 크기를 감쇄시킨다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 반도체 소자 및 그 제작 방법 | 미국 |