Registered
전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
- Inventors
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안호균, 김해천, 임종원, 김성일, 김동영, 윤형섭, 이종민, 권용환, 이상흥, 도재원, 조규준, 남은수, 강동민, 민병규
- Application No.
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10-2015-0163258 (2015.11.20)
KIPRIS
- Publication No.
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10-2017-0059520 (2017.05.31)
- Registration No.
- 10-2280623-0000 (2021.07.16)
- Country
- KOREA
- Project Code
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14DR1400, Ka대역 GaN MMIC 기반 SSPA 개발 ,
Youn Sub Noh
- Abstract
- 본 발명의 실시 예에 따른 전계효과 트랜지스터는 서로 마주하는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 활성층; 상기 활성층의 상기 제1 면 상에 형성되고, 상기 활성층의 상기 제1 면을 노출하는 제1 개구영역을 포함하는 캡핑층; 상기 캡핑층 상에 형성된 소스 오믹 전극 및 드레인 오믹 전극; 상기 활성층의 상기 제1 면 상부에 배치되고, 상기 제1 개구영역 내부에 배치된 일부를 포함하는 전면 게이트; 상기 활성층의 상기 제2 면 상부에 배치되고, 상기 소스 오믹 전극 및 상기 드레인 오믹 전극 사이의 상기 활성층의 상기 제2 면을 노출하는 제2 개구영역을 포함하는 반도체 기판; 및 상기 활성층의 상기 제2 면 상부에 배치되고, 상기 제2 개구영역 내부에 배치되어 상기 전면 게이트에 중첩된 후면 게이트를 포함할 수 있다.
- KSP Keywords
- Field-effect transistors(FETs), fabricating method, field effect