상세정보
등록 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
- 출원번호
- 10-2015-0163258 (2015.11.20) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2017-0059520 (2017.05.31)
- 등록번호
- 10-2280623-0000 (2021.07.16)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 14DR1400, Ka대역 GaN MMIC 기반 SSPA 개발 , 노윤섭
- 초록
- 본 발명의 실시 예에 따른 전계효과 트랜지스터는 서로 마주하는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 활성층; 상기 활성층의 상기 제1 면 상에 형성되고, 상기 활성층의 상기 제1 면을 노출하는 제1 개구영역을 포함하는 캡핑층; 상기 캡핑층 상에 형성된 소스 오믹 전극 및 드레인 오믹 전극; 상기 활성층의 상기 제1 면 상부에 배치되고, 상기 제1 개구영역 내부에 배치된 일부를 포함하는 전면 게이트; 상기 활성층의 상기 제2 면 상부에 배치되고, 상기 소스 오믹 전극 및 상기 드레인 오믹 전극 사이의 상기 활성층의 상기 제2 면을 노출하는 제2 개구영역을 포함하는 반도체 기판; 및 상기 활성층의 상기 제2 면 상부에 배치되고, 상기 제2 개구영역 내부에 배치되어 상기 전면 게이트에 중첩된 후면 게이트를 포함할 수 있다.