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Registered 브릿지 다이오드 및 그 제조방법
- Application No.
- 10-2016-0007195 (2016.01.20) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2017-0012861 (2017.02.03)
- Registration No.
- 10-2316224-0000 (2021.10.18)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 15MB1800, Development of High Efficiency GaN-based Key Components and Modules for Base and Mobile Stations, Jong-Won Lim
- Abstract
- 본 발명의 실시예에 따른 브릿지 다이오드를 제공한다. 브릿지 다이오드는 기판 상에 순차적으로 적층되는 제 1 하부 질화막 및 제 1 상부 질화막을 포함하는 제 1 구조, 상기 기판 상에 순차적으로 적층되는 제 2 하부 질화막 및 제 2 상부 질화막을 포함하는 제 2 구조, 상기 제 1 구조 상에 배치되는 제 1 전극 구조체 및 상기 제 2 구조 상에 배치되는 제 2 전극 구조체를 포함하고, 상기 제 1 전극 구조체는 시계방향으로 배열되는 제 1 전극, 제 2 전극 및 제 3 전극을 포함하고, 상기 제 2 전극 구조체는 시계방향으로 배열되는 제 4 전극, 제 5 전극 및 제 6 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극과 상기 제 6 전극 및 상기 제 3 전극과 상기 제 4 전극은 서로 연결되어 외부 회로와 연결되고, 제 2 전극과 제 5 전극은 각각 외부 회로와 연결된다.