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Detail
Registered 전자 소자
- Application No.
- 10-2016-0008222 (2016.01.22) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2017-0033219 (2017.03.24)
- Registration No.
- 10-1878934-0000 (2018.07.10)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 15MB1800, Development of High Efficiency GaN-based Key Components and Modules for Base and Mobile Stations, Jong-Won Lim
- Abstract
- 전자 소자를 제공한다. 전자 소자는, 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 반도체층 및 제2 반도체층과, 제2 반도체층 상에 배치된 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 전자 소자는 소스 전극과 전기적으로 연결되며 드레인 전극 방향으로 연장하며 드레인 전극으로 갈수록 기판으로부터 멀어지는 필드 플레이트를 더 포함한다.
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | STEP-FORMED STRUCTURE SOURCE FIELD PLATE NITRIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME | UNITED STATES |