상세정보
등록 단차 구조 소스 필드 플레이트 질화물 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법
- 출원번호
- 15265647 (2016.09.14)
- 공개번호
- 20170077282 (2017.03.16)
- 등록번호
- 9755027 (2017.09.05)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
- 초록
- Provided is an electronic device. The electronic device includes a first semiconductor layer and a second semiconductor layer sequentially stacked on a substrate and a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode arranged on the second semiconductor layer. The electronic device further includes a field plate which is electrically connected to the source electrode and extends towards the drain electrode, wherein the field plate becomes farther away from the substrate as the field plate becomes closer to the drain electrode.
- KSP 제안 키워드
- Drain electrode, Field Plate, Field-effect transistors(FETs), Source Field Plate, Source field, electronic devices, field effect, gate electrode
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 전자 소자 | 대한민국 | KIPRIS |