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Registered 전력 반도체 모듈 및 그것의 안정화 방법
- Application No.
- 10-2016-0040357 (2016.04.01) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2017-0051146 (2017.05.11)
- Registration No.
- 10-1851620-0000 (2018.04.18)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 15MB8200, Next Generation High Efficiency 3-Dimensional Convergence Power Conversion Module, Sang Choon Ko
- Abstract
- 본 발명은 Sense-FET를 사용한 안정화 회로 구조를 제안한다. 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈은 D-Mode FET와 상기 D-Mode FET와 동일한 구조를 가지며 면적을 달리하는 Sense-FET를 포함한다. 전력 반도체 모듈은 Sense-FET의 구동을 위해 필요한 E-Mode FET 뿐만 아니라, 저항, 커패시터, 인덕터, 또는 다이오드 등과 같은 회로 소자를 포함하는 안정화 회로를 포함한다.
- KSP Keywords
- Enhancement mode(E-mode), Power semiconductor
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR STABILIZING THEREOF | UNITED STATES |