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등록 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법

고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
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발명자
안호균, 김해천, 김동영, 임종원, 김성일, 민병규, 권용환, 강동민, 이종민, 조규준, 도재원, 정현욱, 윤형섭, 남은수, 이상흥
출원번호
10-2016-0016435 (2016.02.12) KIPRIS
공개번호
10-2017-0095455 (2017.08.23)
등록번호
10-2208076-0000 (2021.01.21)
출원국
대한민국
협약과제
15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
초록
본 발명의 실시예에 따른 고전자 이동도 트랜지스터는 서로 마주보는 제1면과 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면과 상기 제2 면을 관통하는 비아홀을 구비한 기판과, 상기 기판의 제1 면 상에 제공된 활성층과, 상기 활성층 상에 위치하고 상기 활성층의 일부를 노출하는 게이트 리쎄스 영역을 포함한 캡층과, 상기 캡층 상에 위치하며 상기 캡층 및 상기 활성층 중 어느 하나의 층에 오믹 접촉한 소스 전극과, 상기 캡층 상에서 상기 소스 전극으로부터 이격되며 상기 캡층에 오믹 접촉한 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 상에 위치하고 상기 게이트 리쎄스 영역에 대응되는 개구부를 구비하여 상기 게이트 리쎄스 영역을 노출시키는 절연층과, 상기 절연층 상에서 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 위치한 제1 전계 전극과, 상기 절연층 상에서 상기 제1 전계 전극과 전기적으로 연결된 게이트 전극 및 상기 기판의 제2 면 상에 제공되며 상기 비아홀을 통해 상기 활성층과 접촉되는 제2 전계 전극을 포함한다.
패밀리
 
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구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 전계효과 트랜지스터 구조 및 제조방법 미국