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상세정보

등록 전계효과 트랜지스터 구조 및 제조방법

발명자
안호균, 김해천, 김동영, 임종원, 김성일, 민병규, 권용환, 강동민, 이종민, 조규준, 도재원, 정현욱, 윤형섭, 남은수, 이상흥
출원번호
15/248676 (2016.08.26)
등록번호
10134854 (2018.11.20)
출원국
미국
협약과제
15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 대한민국 KIPRIS