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등록 전계 효과 트랜지스터

전계 효과 트랜지스터
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발명자
출원번호
10-2016-0069686 (2016.06.03) KIPRIS
공개번호
10-2017-0074153 (2017.06.29)
등록번호
10-2261732-0000 (2021.06.01)
출원국
대한민국
협약과제
15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
14PB5600, SW기반 디지털 무선통신용 핵심 모듈 및 트랜시버 개발, 윤형섭
초록
본 발명의 실시예에 따른 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 제공된 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 캡층과, 상기 활성층 및 상기 캡층 중 어느 하나의 층 상에 제공되며 일정 간격 이격된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 배치된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 제공된 더미 전극 패드, 및 상기 게이트 전극과 상기 더미 전극 패드 상에 제공되며 상기 소스 전극과 상기 더미 전극 패드를 전기적으로 연결하는 전계 전극을 포함할 수 있다.
KSP 제안 키워드
Field-effect transistors(FETs), field effect
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등록 전계 효과 트랜지스터 대한민국 KIPRIS