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Detail
Registered 전계 효과 트랜지스터
- Application No.
- 10-2016-0069686 (2016.06.03) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2017-0074153 (2017.06.29)
- Registration No.
- 10-2261732-0000 (2021.06.01)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 14PB5600, Development of Core Modules and Transceiver for Digital Wireless Communications Based on Software, Hyung Sup Yoon
- 15MB1800, Development of High Efficiency GaN-based Key Components and Modules for Base and Mobile Stations, Jong-Won Lim
- Abstract
- 본 발명의 실시예에 따른 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 제공된 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 캡층과, 상기 활성층 및 상기 캡층 중 어느 하나의 층 상에 제공되며 일정 간격 이격된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 배치된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 제공된 더미 전극 패드, 및 상기 게이트 전극과 상기 더미 전극 패드 상에 제공되며 상기 소스 전극과 상기 더미 전극 패드를 전기적으로 연결하는 전계 전극을 포함할 수 있다.
- KSP Keywords
- Field Effect Transistor(FET), field effect
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | 전계 효과 트랜지스터 | KOREA | KIPRIS |