상세정보
등록 반도체 소자 및 그 제조 방법
- 출원번호
- 10-2016-0101508 (2016.08.09) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2017-0089390 (2017.08.03)
- 등록번호
- 10-2332330-0000 (2021.11.24)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
- 초록
- 반도체 소자는 기판, 기판 상의 제1 반도체층 및 제1 반도체층 상의 제2 반도체층을 포함하는 반도체 구조체, 반도체 구조체 상에 제공되는 제1 패시베이션 패턴, 및 반도체 구조체 상에 제공되고, 제1 패시베이션 패턴으로부터 이격되는 제1 및 제2 도전 패턴들을 포함한다.
- KSP 제안 키워드
- semiconductor device
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 수평형 반도체 소자의 누설전류를 감소시키는 구조 및 제작 방법 | 미국 |