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Detail
Registered 반도체 소자 및 그 제조 방법
- Application No.
- 10-2016-0101508 (2016.08.09) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2017-0089390 (2017.08.03)
- Registration No.
- 10-2332330-0000 (2021.11.24)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 15MB1800, Development of High Efficiency GaN-based Key Components and Modules for Base and Mobile Stations, Jong-Won Lim
- Abstract
- 반도체 소자는 기판, 기판 상의 제1 반도체층 및 제1 반도체층 상의 제2 반도체층을 포함하는 반도체 구조체, 반도체 구조체 상에 제공되는 제1 패시베이션 패턴, 및 반도체 구조체 상에 제공되고, 제1 패시베이션 패턴으로부터 이격되는 제1 및 제2 도전 패턴들을 포함한다.
- KSP Keywords
- semiconductor device
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PASSIVATION LAYER FOR CONTROL OF LEAKAGE CURRENT | UNITED STATES |