등록
수평형 반도체 소자의 누설전류를 감소시키는 구조 및 제작 방법
- 발명자
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나제호, 이형석, 전치훈, 장현규, 정동윤, 박영락, 고상춘, 장우진, 곽명준
- 출원번호
- 15/414156 (2017.01.24)
- 공개번호
- US 2017-0213904 A1 (2017.07.27)
- 등록번호
- 10014401 (2018.07.03)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
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15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발,
임종원
- KSP 제안 키워드
- Leakage current, passivation layer, semiconductor device
- 패밀리
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