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등록 수평형 반도체 소자의 누설전류를 감소시키는 구조 및 제작 방법

발명자
나제호, 이형석, 전치훈, 장현규, 정동윤, 박영락, 고상춘, 장우진, 곽명준
출원번호
15/414156 (2017.01.24)
공개번호
US 2017-0213904 A1 (2017.07.27)
등록번호
10014401 (2018.07.03)
출원국
미국
협약과제
15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
KSP 제안 키워드
Leakage current, passivation layer, semiconductor device
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 반도체 소자 및 그 제조 방법 대한민국 KIPRIS