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Detail
Registered 질화물 반도체의 결함 검사 방법
- Application No.
- 10-2016-0126992 (2016.09.30) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2018-0036876 (2018.04.10)
- Registration No.
- 10-2383392-0000 (2022.04.01)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 15PB2100, The development of epi-growth analysis for next generation semiconductor and power semiconductor fundamental technology, Bae Sung-Bum
- Abstract
- 본 발명은 질화물 반도체의 결함 검사 방법에 관한 것으로, 기판 상에 질화물 반도체를 형성하는 것, 상기 질화물 반도체를 전처리 하는 것, 및 상기 질화물 반도체의 표면 이미지를 획득하는 것을 포함하되, 상기 질화물 반도체를 전처리 하는 것은 상기 질화물 반도체 상에, 상기 질화물 반도체의 상면과 접하는 마스크 패턴을 형성하는 것, 상기 마스크 패턴이 형성된 상기 질화물 반도체 상에 열처리 공정을 수행하는 것, 및 습식 식각 공정을 수행하여 상기 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하는 질화물 반도체의 결함 검사 방법이 제공된다.
- KSP Keywords
- nitride semiconductor