상세정보
등록 질화물 반도체의 결함 검사 방법
- 출원번호
- 10-2016-0126992 (2016.09.30) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2018-0036876 (2018.04.10)
- 등록번호
- 10-2383392-0000 (2022.04.01)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 15PB2100, 차세대 반도체소자용 에피성장 측정·분석 및 전력반도체 원천기술 개발, 배성범
- 초록
- 본 발명은 질화물 반도체의 결함 검사 방법에 관한 것으로, 기판 상에 질화물 반도체를 형성하는 것, 상기 질화물 반도체를 전처리 하는 것, 및 상기 질화물 반도체의 표면 이미지를 획득하는 것을 포함하되, 상기 질화물 반도체를 전처리 하는 것은 상기 질화물 반도체 상에, 상기 질화물 반도체의 상면과 접하는 마스크 패턴을 형성하는 것, 상기 마스크 패턴이 형성된 상기 질화물 반도체 상에 열처리 공정을 수행하는 것, 및 습식 식각 공정을 수행하여 상기 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하는 질화물 반도체의 결함 검사 방법이 제공된다.
- KSP 제안 키워드
- nitride semiconductor