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Detail
Registered Hetero-junction transistor
- Inventors
- Bae Sung-Bum, Kim Sung Bock
- Application No.
- 10-2016-0090997 (2016.07.18) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2018-0009442 (2018.01.29)
- Registration No.
- 10-2261735-0000 (2021.06.01)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 15PB2100, The development of epi-growth analysis for next generation semiconductor and power semiconductor fundamental technology, Bae Sung-Bum
- Abstract
- 본 발명의 실시예에 따른 이종접합 트랜지스터는 질화물 반도체층 상에 배치된 콜렉터 전극, 상기 콜렉터 전극과 이격되어 상기 질화물 반도체층 상에 배치된 에미터 전극, 상기 콜렉터 전극과 상기 에미터 전극 사이에 배치된 베이스 전극 및 상기 에미터 전극과 상기 질화물 반도체층 사이로부터 상기 콜렉터 전극과 상기 질화물 반도체층 사이로 연장하는 절연막을 포함할 수 있다.