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상세정보

등록 이종접합 트랜지스터

이종접합 트랜지스터
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발명자
배성범, 김성복
출원번호
10-2016-0090997 (2016.07.18) KIPRIS
공개번호
10-2018-0009442 (2018.01.29)
등록번호
10-2261735-0000 (2021.06.01)
출원국
대한민국
협약과제
15PB2100, 차세대 반도체소자용 에피성장 측정·분석 및 전력반도체 원천기술 개발, 배성범
초록
본 발명의 실시예에 따른 이종접합 트랜지스터는 질화물 반도체층 상에 배치된 콜렉터 전극, 상기 콜렉터 전극과 이격되어 상기 질화물 반도체층 상에 배치된 에미터 전극, 상기 콜렉터 전극과 상기 에미터 전극 사이에 배치된 베이스 전극 및 상기 에미터 전극과 상기 질화물 반도체층 사이로부터 상기 콜렉터 전극과 상기 질화물 반도체층 사이로 연장하는 절연막을 포함할 수 있다.
KSP 제안 키워드
hetero-junction, junction transistor(JT)