Registered
A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
- Inventors
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Bae Sung-Bum, Kim Sung Bock
- Application No.
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10-2016-0095728 (2016.07.27)
KIPRIS
- Publication No.
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10-2018-0012917 (2018.02.07)
- Registration No.
- 10-2152195-0000 (2020.08.31)
- Country
- KOREA
- Project Code
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15PB2100, The development of epi-growth analysis for next generation semiconductor and power semiconductor fundamental technology,
Bae Sung-Bum
- Abstract
- 제 1 기판 상에 제 1 에피층, 희생층, 제 2 에피층 및 제 3 에피층을 순차적으로 적층하는 것, 상기 제 3 에피층, 상기 제 2 에피층 및 상기 희생층을 관통하는 트렌치를 형성하는 것, 상기 제 3 에피층의 상면 상에 구조층을 형성하는 것, 상기 트렌치의 내면 및 상기 구조층을 덮는 금속막을 형성하는 것, 상기 트렌치를 채우고, 상기 금속막을 덮는 제 2 기판을 형성하는 것, 및 상기 제 1 에피층으로부터 상기 제 2 에피층, 상기 제 3 에피층 및 상기 구조층을 분리하는 것을 포함하는 반도체소자의 제조 방법을 제공한다.
- KSP Keywords
- semiconductor device
- Family
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