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Registered A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

반도체 소자 및 그 제조 방법
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Inventors
Bae Sung-Bum, Kim Sung Bock
Application No.
10-2016-0095728 (2016.07.27) KIPRIS
Publication No.
10-2018-0012917 (2018.02.07)
Registration No.
10-2152195-0000 (2020.08.31)
Country
KOREA
Project Code
15PB2100, The development of epi-growth analysis for next generation semiconductor and power semiconductor fundamental technology, Bae Sung-Bum
Abstract
제 1 기판 상에 제 1 에피층, 희생층, 제 2 에피층 및 제 3 에피층을 순차적으로 적층하는 것, 상기 제 3 에피층, 상기 제 2 에피층 및 상기 희생층을 관통하는 트렌치를 형성하는 것, 상기 제 3 에피층의 상면 상에 구조층을 형성하는 것, 상기 트렌치의 내면 및 상기 구조층을 덮는 금속막을 형성하는 것, 상기 트렌치를 채우고, 상기 금속막을 덮는 제 2 기판을 형성하는 것, 및 상기 제 1 에피층으로부터 상기 제 2 에피층, 상기 제 3 에피층 및 상기 구조층을 분리하는 것을 포함하는 반도체소자의 제조 방법을 제공한다.
KSP Keywords
semiconductor device
Family
 
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Status Patent Country KIPRIS
Registered SEMICONDUCTOR DEVICE UNITED STATES
Registered SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME UNITED STATES