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상세정보

등록 고주파 소자 및 이의 제조 방법

고주파 소자 및 이의 제조 방법
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발명자
윤형섭, 민병규, 김해천, 이종민, 안호균, 강동민, 김성일, 장우진, 이상흥, 임종원, 김동영, 지홍구
출원번호
10-2017-0027956 (2017.03.03) KIPRIS
공개번호
10-2018-0053207 (2018.05.21)
등록번호
10-2261740-0000 (2021.06.01)
출원국
대한민국
협약과제
16ZB1100, 수요자 중심 화합물 반도체 부품산업기반강화, 강동민
초록
본 발명에 따른 고주파 소자는 반도체 기판(100), 상기 반도체 기판 상부에 제공되고, 서로 이격되는 제1 트렌치 및 제2 트렌치, 상기 제1 트렌치 및 상기 제2 트렌치 사이의 제3 트렌치 및 제4 트렌치, 상기 제1 트렌치를 채우는 소스 오믹금속전극(210), 상기 제2 트렌치를 채우는 드레인 오믹금속전극(220), 및 상기 제3 트렌치 및 상기 제4 트렌치를 채우는 비대칭 게이트 전극(400)을 포함한다. 상기 제3 트렌치는 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로의 제1 폭을 가지고, 상기 제4 트렌치는 상기 제1 방향으로의 제2 폭을 가지고,상기 제2 폭은 상기 제1 폭보다 작다.
KSP 제안 키워드
High Frequency(HF), High frequency devices, Manufacturing method