BROWSE
Detail
Registered 고주파 소자 및 이의 제조 방법
- Application No.
- 10-2017-0027956 (2017.03.03) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2018-0053207 (2018.05.21)
- Registration No.
- 10-2261740-0000 (2021.06.01)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 16ZB1100, 수요자 중심 화합물 반도체 부품산업기반강화, Dong Min Kang
- Abstract
- 본 발명에 따른 고주파 소자는 반도체 기판(100), 상기 반도체 기판 상부에 제공되고, 서로 이격되는 제1 트렌치 및 제2 트렌치, 상기 제1 트렌치 및 상기 제2 트렌치 사이의 제3 트렌치 및 제4 트렌치, 상기 제1 트렌치를 채우는 소스 오믹금속전극(210), 상기 제2 트렌치를 채우는 드레인 오믹금속전극(220), 및 상기 제3 트렌치 및 상기 제4 트렌치를 채우는 비대칭 게이트 전극(400)을 포함한다. 상기 제3 트렌치는 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로의 제1 폭을 가지고, 상기 제4 트렌치는 상기 제1 방향으로의 제2 폭을 가지고,상기 제2 폭은 상기 제1 폭보다 작다.
- KSP Keywords
- High frequency(HF), High frequency devices, Manufacturing method