상세정보
등록 반도체 장치 및 그것의 동작 방법
- 출원번호
- 10-2017-0076069 (2017.06.15) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2018-0058612 (2018.06.01)
- 등록번호
- 10-2088765-0000 (2020.03.09)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 16ZS1200, 초저에너지 프로세서를 위한 NZV 마이크로그레인 아키텍처 기술, 이재진
- 초록
- 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 장치는 트랜지스터를 포함하는 타깃 회로, 모니터링 회로, 및 전압 컨트롤러를 포함할 수 있다. 모니터링 회로는 타깃 회로의 온도 또는 지연 시간을 측정할 수 있다. 전압 컨트롤러는 타깃 회로의 온도 또는 지연 시간을 참조하여 타깃 회로에 대한 구동 전압과 백-바이어스 전압을 조절할 수 있다. 본 발명의 반도체 장치는 온도가 증가할수록 지연시간이 감소하는 TEI 특성을 갖는다. 본 발명에 의하면, 반도체 장치의 소비 전력을 감소시킬 뿐만 아니라, 반도체 장치의 성능을 향상시킬 수 있다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 온도역전현상을 이용한 저전력 회로 설계 기술 | 미국 |