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Registered SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF OPERATION THE SAME

반도체 장치 및 그것의 동작 방법
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Inventors
Lee Woojoo, Jae-Jin Lee, Sukho Lee, Han Kyuseung, Bae Young Hwan, Kim Sang Pil
Application No.
10-2017-0076069 (2017.06.15) KIPRIS
Publication No.
10-2018-0058612 (2018.06.01)
Registration No.
10-2088765-0000 (2020.03.09)
Country
KOREA
Project Code
16ZS1200, Near-Zero-Voltage Micro-Grain Architecture for Ultra-Low-Energy Processor, Jae-Jin Lee
Abstract
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 장치는 트랜지스터를 포함하는 타깃 회로, 모니터링 회로, 및 전압 컨트롤러를 포함할 수 있다. 모니터링 회로는 타깃 회로의 온도 또는 지연 시간을 측정할 수 있다. 전압 컨트롤러는 타깃 회로의 온도 또는 지연 시간을 참조하여 타깃 회로에 대한 구동 전압과 백-바이어스 전압을 조절할 수 있다. 본 발명의 반도체 장치는 온도가 증가할수록 지연시간이 감소하는 TEI 특성을 갖는다. 본 발명에 의하면, 반도체 장치의 소비 전력을 감소시킬 뿐만 아니라, 반도체 장치의 성능을 향상시킬 수 있다.
KSP Keywords
semiconductor device
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Status Patent Country KIPRIS
Registered SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPERATION METHOD THEREOF UNITED STATES