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Registered Semiconductor devices comprising metal-insulator transition materials

금속-절연체 전이 물질을 포함하는 반도체 소자
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Inventors
Kim Seong Hyun, Hwang Chi-Sun, Su Jae Lee, Cho Kyoung Ik
Application No.
10-2017-0026696 (2017.02.28) KIPRIS
Publication No.
10-2018-0100025 (2018.09.06)
Registration No.
10-2317203-0000 (2021.10.19)
Country
KOREA
Project Code
16MB1100, The core technology development of light and space adaptable energy-saving I/O (Input/Output) platform for future advertising service, Hwang Chi-Sun
Abstract
본 발명은 금속-절연체 전이 물질을 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상의 절연층, 상기 절연층 상에 배치되고, 서로이격된 제1 및 제2 도전 패턴들, 상기 제1 및 제2 도전 패턴 사이의 반도체층 및 상기 게이트 전극 및 절연층 사이에 배치되는 전이물질층을 포함하되, 상기 전이물질층은 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition:MIT)물질을 포함하는 반도체 소자가 제공된다.
KSP Keywords
metal-insulator, metal-insulator transition, semiconductor device