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Detail
Registered Semiconductor devices comprising metal-insulator transition materials
- Inventors
- Kim Seong Hyun, Hwang Chi-Sun, Su Jae Lee, Cho Kyoung Ik
- Application No.
- 10-2017-0026696 (2017.02.28) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2018-0100025 (2018.09.06)
- Registration No.
- 10-2317203-0000 (2021.10.19)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 16MB1100, The core technology development of light and space adaptable energy-saving I/O (Input/Output) platform for future advertising service, Hwang Chi-Sun
- Abstract
- 본 발명은 금속-절연체 전이 물질을 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상의 절연층, 상기 절연층 상에 배치되고, 서로이격된 제1 및 제2 도전 패턴들, 상기 제1 및 제2 도전 패턴 사이의 반도체층 및 상기 게이트 전극 및 절연층 사이에 배치되는 전이물질층을 포함하되, 상기 전이물질층은 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition:MIT)물질을 포함하는 반도체 소자가 제공된다.
- KSP Keywords
- metal-insulator, metal-insulator transition, semiconductor device