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Registered 융합 반도체 장치 및 그 제조 방법
- Application No.
- 10-2018-0003560 (2018.01.10) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2019-0019809 (2019.02.27)
- Registration No.
- 10-2549586-0000 (2023.06.26)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 17HB2400, Development of High Efficiency GaN-based Key Components and Modules for Base and Mobile Stations, Jong-Won Lim
- Abstract
- 융합 반도체 장치의 제조 방법은 실리콘 기반의 III-V족 화합물 반도체 장치의 제조 방법은 실리콘(Si) 기판을 준비하는 것, 실리콘 기판의 상면의 제1 영역 상에 발광 소자를 형성하는 것, 실리콘 기판 상에, 실리콘 기판의 상면의 제2 영역을 노출하는 제2 절연 패턴을 형성하는 것, 제2 절연 패턴에 의해 노출된 제2 영역 상에 수광 소자를 형성하는 것, 실리콘 기판 상에, 실리콘 기판의 상면의 제3 영역을 노출하는 제3 절연 패턴을 형성하는 것, 및 제3 절연 패턴에 의해 노출된 제3 영역 상에 전자 소자를 형성하는 것을 포함하되, 발광 소자 및 전자 소자는 III-V족 화합물 반도체 물질을 포함하고, 발광 소자, 수광 소자, 및 전자 소자는 기판의 상면에 평행한 방향을 따라 서로 이격되는 영역들이다.
- KSP Keywords
- semiconductor device