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Registered Semiconductor device and method of fabricating the same

반도체 장치 및 이의 제조 방법
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Inventors
Hyung Seok Lee, Jang Yoo Jin, Hokyun Ahn, Jong-Won Lim, Kim Seong-Il, Bae Sung-Bum, Kim Dong-Young, Min Byoung-Gue, Jongmin Lee, Mun Jae Kyoung, Woojin Chang, Lee Sang-Heung, Kim Jeong Jin, Jae Won Do, Shin Min Jeong, Sungjae Chang, Kyu Jun Cho, Kim Zin-Sig, Hae Cheon Kim, Hyung Sup Yoon, Jung Hyunwook, Ji Hong Gu, Dong Min Kang
Application No.
10-2018-0005704 (2018.01.16) KIPRIS
Publication No.
10-2019-0035453 (2019.04.03)
Registration No.
10-2356999-0000 (2022.01.25)
Country
KOREA
Project Code
17HB2400, Development of High Efficiency GaN-based Key Components and Modules for Base and Mobile Stations, Jong-Won Lim
Abstract
본 발명은 반도체 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 반도체 장치는, 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하는 방열판; 상기 방열판의 상기 제 1 영역에 배치되는 제 1 소자; 및 상기 방열판의 상기 제 2 영역에 배치되는 제 2 소자를 포함하되, 상기 제 1 소자는 제 1 기판을 포함하고, 상기 제 2 소자는 제 2 기판을 포함하고, 상기 제 1 기판은 상기 제 2 기판과 서로 다른 물질을 포함하고, 상기 제 1 기판은 상기 방열판과 접하며, 상기 제 2 소자는 상기 방열판에 플립 칩 본딩 방식으로 본딩된다.
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Registered SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME UNITED STATES
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