상세정보
등록 반도체 집적 및 그 제조방법
- 발명자
- 이형석, 김해천, 이상흥, 김동영, 임종원, 김성일, 민병규, 지홍구, 강동민, 안호균, 배성범, 이종민, 조규준, 김진식, 도재원, 신민정, 장성재, 김정진, 장유진, 정현욱, 윤형섭, 문재경, 장우진
- 출원번호
- 16134286 (2018.09.18)
- 공개번호
- 20190096782 (2019.03.28)
- 등록번호
- 10651107 (2020.05.12)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 17HB2400, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
- 초록
- Provided are a semiconductor device and a method for fabricating the same. The semiconductor device includes a heat dissipation plate including a first region and a second region, a first element disposed on the heat dissipation plate in the first region, and a second element disposed on the heat dissipation plate in the second region. The first element includes a first substrate, the second element includes a second substrate, the first substrate includes a material different from a material of the second substrate, the first substrate contacts the heat dissipation plate, and the second element is bonded to the heat dissipation plate in a flip-chip bonding manner.
- KSP 제안 키워드
- Flip-chip bonding, Heat Dissipation, chip bonding, flip chip, semiconductor device
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 | 대한민국 | KIPRIS |
| 등록 | 반도체 집적 및 그 제조방법 | 미국 |