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등록 반도체 소자 및 그의 제조 방법

반도체 소자 및 그의 제조 방법
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발명자
안호균, 신민정, 김정진, 장성재, 도재원, 김해천, 민병규, 조규준, 이형석, 정현욱, 윤형섭, 임종원, 이종민, 강동민, 지홍구, 김성일, 이상흥, 김동영
출원번호
10-2018-0046336 (2018.04.20) KIPRIS
공개번호
10-2019-0038259 (2019.04.08)
등록번호
10-2248808-0000 (2021.04.29)
출원국
대한민국
협약과제
17HB2400, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
초록
제 1 반도체층과 제 2 반도체층 사이에 절연층이 매립된 기판, 상가 기판을 관통하는 관통 홀, 상기 관통 홀은 상기 제 1 반도체층을 관통하는 제 1 홀, 및 상기 제 1 홀의 바닥면으로부터 상기 절연층 및 상기 제 2 반도체층을 관통하는 제 2 홀을 포함하고, 상기 관통 홀 내에 배치되는 에피층, 상기 제 2 홀 내에 배치되어 상기 에피층의 일면과 접하는 드레인 전극, 및 상기 에피층의 다른 일면 상에 배치되는 소스 전극 및 게이트 전극을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.
KSP 제안 키워드
semiconductor device
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 질화물계 수직형 트랜지스터 구조 및 제조방법 미국