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Detail
Registered 반도체 소자 및 그의 제조 방법
- Application No.
- 10-2018-0046336 (2018.04.20) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2019-0038259 (2019.04.08)
- Registration No.
- 10-2248808-0000 (2021.04.29)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 17HB2400, Development of High Efficiency GaN-based Key Components and Modules for Base and Mobile Stations, Jong-Won Lim
- Abstract
- 제 1 반도체층과 제 2 반도체층 사이에 절연층이 매립된 기판, 상가 기판을 관통하는 관통 홀, 상기 관통 홀은 상기 제 1 반도체층을 관통하는 제 1 홀, 및 상기 제 1 홀의 바닥면으로부터 상기 절연층 및 상기 제 2 반도체층을 관통하는 제 2 홀을 포함하고, 상기 관통 홀 내에 배치되는 에피층, 상기 제 2 홀 내에 배치되어 상기 에피층의 일면과 접하는 드레인 전극, 및 상기 에피층의 다른 일면 상에 배치되는 소스 전극 및 게이트 전극을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.
- KSP Keywords
- semiconductor device