상세정보
등록 질화물 반도체 소자의 제조 방법
- 출원번호
- 10-2018-0108595 (2018.09.11) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2019-0051775 (2019.05.15)
- 등록번호
- 10-2549176-0000 (2023.06.26)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 17DB1400, 초고주파 전력증폭기용 GaN-on-SiC 에피 소재 기술개발, 배성범
- 초록
- 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 소자의 제조방법은 기판 상에, 차례로 적층된 제1 질화물 반도체층 및 제2 질화물 반도체층을 포함하는 활성층을 형성하는 것, 상기 활성층 상에, 차례로 적층된 제3 질화물 반도체층 및 제4 질화물 반도체층을 포함하는 전극을 형성하는 것, 상기 제4 질화물 반도체층의 상면 상에 상기 제3 질화물 반도체층보다 도펀트 농도가 높은 제5 질화물 반도체층을 형성하는 것, 상기 기판 상에 열처리 공정을 수행하여, 상기 제5 질화물 반도체층 내의 도펀트를 상기 제4 질화물 반도체층으로 확산시키는 것 및 상기 제5 질화물 반도체층을 제거하여 상기 제4 질화물 반도체층의 상면을 노출시키는 것을 포함할 수 있다.
- KSP 제안 키워드
- nitride semiconductor, semiconductor device