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등록 광 전자 소자의 제조 방법

광 전자 소자의 제조 방법
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발명자
최수경, 이현구, 권병화, 한준한, 조현수, 변춘원, 조남성, 신진욱, 양종헌
출원번호
10-2018-0071069 (2018.06.20) KIPRIS
공개번호
10-2019-0143299 (2019.12.30)
등록번호
10-2577783-0000 (2023.09.07)
출원국
대한민국
협약과제
18HB1600, 고해상도 광대역 실감 입체 영상용 소재 및 소자 기술, 김태엽
초록
제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되는 발광부를 포함하는 제 1 소자층을 형성하는 것, 상기 제 2 전극 상에 상기 제 1 소자층을 덮는 제 1 봉지층을 형성하는 것, 상기 제 1 봉지층 상에 제 1 보호층을 형성하는 것, 및 상기 제 1 보호층 상에 제 2 소자층을 형성하는 것을 포함하는 광 전자 소자의 제조 방법을 제공하되, 상기 제 2 소자층을 형성하는 것은 상기 제 1 보호층 상에 제 1 도전막을 도포하는 것, 및 상기 제 1 도전막을 식각하여 제 3 전극을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
KSP 제안 키워드
optoelectronic devices