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Registered Semiconductor rectifying device and manufacturing method thereof
- Inventors
- Park Kun Sik, Won Jong Il, Doohyung Cho, Lee Hyun Soo, Park Jong-Moon
- Application No.
- 10-2018-0116623 (2018.09.28) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2019-0123659 (2019.11.01)
- Registration No.
- 10-2546335-0000 (2023.06.16)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 17HB2900, Development of High Efficiency and Low Loss Super Barrier Rectifier (SBR) Power Device, Park Kun Sik
- Abstract
- 반도체 정류 소자는 활성화 영역 및 종단 영역을 갖는 반도체 기판, 상기 종단 영역 상에 배치되고 상기 반도체 기판 내에 위치하는 복수개의 가드링들, 상기 종단 영역 상에 배치되고 상기 가드링들을 덮는 절연막, 상기 활성화 영역 상의 게이트 전극층, 상기 종단 영역 상에 배치되고 상기 절연막을 덮는 더미 게이트 전극층, 및 상기 게이트 전극층 및 상기 더미 게이트 전극층을 덮는 제1 전극층을 포함할 수 있다. 상기 절연막의 일부는 상기 가드링들의 각각 및 상기 더미 게이트 전극층 사이에 개재될 수 있다.
- KSP Keywords
- Manufacturing method, Rectifying Device