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Registered 반도체 소자 제조방법

반도체 소자 제조방법
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Inventors
이형석, 배성범, 김진식, 조규준, 이종민, 김정진
Application No.
10-2019-0108584 (2019.09.03) KIPRIS
Publication No.
10-2020-0128333 (2020.11.12)
Registration No.
10-2404522-0000 (2022.05.27)
Country
KOREA
Project Code
18PB3700, Development of 400V Vertical GaN-on-GaN epitaxial growth and device technology for Efficient power switching of Electric vehicle, Hyung Seok Lee
Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 질화물 반도체층, 제2 질화물 반도체층 및 제3 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제3 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 제2 질화물 반도체층을 노출하는 제1 트렌치를 형성하는 단계; 상기 제1 트렌치에 의해 노출된 상기 제2 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 제2 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 제2 트렌치에 의해 노출된 상기 제2 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 제1 질화물 반도체층 상에 경사면을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 트렌치의 바닥은 상기 제2 질화물 반도체층의 상면 및 바닥면 사이에 위치하고, 상기 제2 트렌치의 바닥은 상기 제1 트렌치의 상기 바닥보다 낮으며, 상기 제2 트렌치의 바닥은 상기 제2 질화물 반도체층의 바닥면보다 높은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.
KSP Keywords
semiconductor device