BROWSE
Detail
Registered Method of manufacturing semiconductor device
- Inventors
- Hyung Seok Lee, Bae Sung-Bum, Kim Zin-Sig, Kyu Jun Cho, Jongmin Lee, Kim Jeong Jin
- Application No.
- 10-2019-0108584 (2019.09.03) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2020-0128333 (2020.11.12)
- Registration No.
- 10-2404522-0000 (2022.05.27)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 18PB3700, Development of 400V Vertical GaN-on-GaN epitaxial growth and device technology for Efficient power switching of Electric vehicle, Hyung Seok Lee
- Abstract
- 본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 질화물 반도체층, 제2 질화물 반도체층 및 제3 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제3 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 제2 질화물 반도체층을 노출하는 제1 트렌치를 형성하는 단계; 상기 제1 트렌치에 의해 노출된 상기 제2 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 제2 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 제2 트렌치에 의해 노출된 상기 제2 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 제1 질화물 반도체층 상에 경사면을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 트렌치의 바닥은 상기 제2 질화물 반도체층의 상면 및 바닥면 사이에 위치하고, 상기 제2 트렌치의 바닥은 상기 제1 트렌치의 상기 바닥보다 낮으며, 상기 제2 트렌치의 바닥은 상기 제2 질화물 반도체층의 바닥면보다 높은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.