상세정보
등록 반도체 소자 제조방법
- 출원번호
- 10-2019-0108584 (2019.09.03) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2020-0128333 (2020.11.12)
- 등록번호
- 10-2404522-0000 (2022.05.27)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 18PB3700, 전기자동차의 전력변환 효율 향상을 위한 400V 수직형 GaN-on-GaN 에피/전력소자 기술 개발 , 이형석
- 초록
- 본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 질화물 반도체층, 제2 질화물 반도체층 및 제3 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제3 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 제2 질화물 반도체층을 노출하는 제1 트렌치를 형성하는 단계; 상기 제1 트렌치에 의해 노출된 상기 제2 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 제2 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 제2 트렌치에 의해 노출된 상기 제2 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 제1 질화물 반도체층 상에 경사면을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 트렌치의 바닥은 상기 제2 질화물 반도체층의 상면 및 바닥면 사이에 위치하고, 상기 제2 트렌치의 바닥은 상기 제1 트렌치의 상기 바닥보다 낮으며, 상기 제2 트렌치의 바닥은 상기 제2 질화물 반도체층의 바닥면보다 높은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.
- KSP 제안 키워드
- semiconductor device