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Detail
Registered 반도체 소자 및 이의 제조 방법
- Application No.
- 10-2020-0030007 (2020.03.11) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2021-0056883 (2021.05.20)
- Registration No.
- 10-2662942-0000 (2024.04.29)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 19ZB1600, Development of extremely high RF multi-purpose device using boron nitride release layer and device transfer technique, Sungjae Chang
- Abstract
- 반도체 소자 및 이의 제조 방법이 제공된다. 이 반도체 소자는 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상의 버퍼층; 상기 버퍼층 상의 반도체층; 상기 반도체층 상의 베리어층; 상기 제 1 영역 상에서 상기 베리어층 상에 배치되는 제 1 소스 전극, 제 1 드레인 전극 및 이들 사이의 제 1 게이트 전극; 상기 제 2 영역 상에서 상기 베리어층 상에 배치되는 제 2 소스 전극, 제 2 드레인 전극 및 이들 사이의 제 2 게이트 전극; 및 상기 제1 게이트 전극과 상기 베리어층 사이에 개재되는 강유전체 패턴을 포함한다.
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME | UNITED STATES |