상세정보
등록 반도체 소자 및 이의 제조 방법
- 출원번호
- 10-2020-0030007 (2020.03.11) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2021-0056883 (2021.05.20)
- 등록번호
- 10-2662942-0000 (2024.04.29)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 19ZB1600, 질화붕소 분리층과 소자 전사 기술을 이용한 다목적 초고주파 소자 개발, 장성재
- 초록
- 반도체 소자 및 이의 제조 방법이 제공된다. 이 반도체 소자는 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상의 버퍼층; 상기 버퍼층 상의 반도체층; 상기 반도체층 상의 베리어층; 상기 제 1 영역 상에서 상기 베리어층 상에 배치되는 제 1 소스 전극, 제 1 드레인 전극 및 이들 사이의 제 1 게이트 전극; 상기 제 2 영역 상에서 상기 베리어층 상에 배치되는 제 2 소스 전극, 제 2 드레인 전극 및 이들 사이의 제 2 게이트 전극; 및 상기 제1 게이트 전극과 상기 베리어층 사이에 개재되는 강유전체 패턴을 포함한다.
- KSP 제안 키워드
- semiconductor device
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 유연 고주파 집적회로 및 그 제조방법 | 미국 |