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Registered 균일한 턴-오프 특성을 갖는 MCT 소자 및 그 제조 방법
- Application No.
- 10-2021-0078878 (2021.06.17) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2021-0158797 (2021.12.31)
- Registration No.
- 10-2509083-0000 (2023.03.07)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 19VU1700, Development of self-reliance platform in defense advanced semiconductor materials and components for weapon system, Jong-Won Lim
- Abstract
- 본 발명은 스페이서 형성과 제거(spacer formation and recession) 방법의 자기-정렬(self-align) 공정을 이용하여 균일하고 짧은 길이의 off-FET 채널을 형성함으로써, off-FET의 전류 구동 능력과 소자 동작의 균일도(uniformity)를 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명에 따르면 낮은 게이트 전압 또는 0V의 게이트 전압에서 턴-오프 되는 MCT 소자를 제조할 수 있다.
- KSP Keywords
- Self-align, Turn-off, Turn-off characteristics
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | METAL OXIDE SEMICONDUCTOR-CONTROLLED THYRISTOR DEVICE HAVING UNIFORM TURN-OFF CHARACTERISTIC AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | UNITED STATES |